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龍圖騰網獲悉深圳若隅科技有限公司申請的專利等離子體增強原子層沉積設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119144944B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411330698.3，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權等離子體增強原子層沉積設備是由朱雨設計研發完成，并于2024-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本等離子體增強原子層沉積設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種等離子體增強原子層沉積設備，包括等離子發生裝置以及粉體處理裝置，等離子發生裝置設有等離子發生腔，粉體處理裝置與所述等離子發生裝置連接，所述粉體處理裝置內形成有反應腔以及分別與所述反應腔連通的進氣孔、等離子進入孔、排氣孔，所述等離子進入孔與所述等離子發生腔連通，其中，所述進氣孔用于通入第一工藝氣體，所述等離子進入孔用于通入等離子體。本發明的等離子體增強原子層沉積設備的進氣孔和等離子進入孔均是獨立連通至反應腔，使第一工藝氣體在通入至反應腔時無需經過等離子發生腔，以避免第一工藝氣體被電離，能夠選擇同時向反應腔通入第一工藝氣體和等離子體的工藝，以滿足粉體處理工藝的多樣需求。

本發明授權等離子體增強原子層沉積設備在權利要求書中公布了：1.一種等離子體增強原子層沉積設備，其特征在于，包括： 等離子發生裝置，設有等離子發生腔；以及， 粉體處理裝置，與所述等離子發生裝置連接，所述粉體處理裝置內形成有反應腔以及分別與所述反應腔連通的進氣孔、等離子進入孔、排氣孔，所述等離子進入孔與所述等離子發生腔連通； 其中，所述進氣孔用于通入第一工藝氣體，所述等離子進入孔用于通入等離子體； 所述粉體處理裝置包括： 外殼，與所述等離子發生裝置連接，所述外殼內形成有相互密封的排氣腔和進氣腔，所述外殼設有與所述排氣腔連通的抽氣孔，所述外殼設有與所述進氣腔連通的第一注氣孔和所述進氣孔，所述外殼設有所述等離子進入孔； 電機，連接于所述外殼，所述電機具有輸出軸；以及， 粉體處理組件，設于所述外殼內，所述粉體處理組件內形成有所述反應腔，所述粉體處理組件形成有所述反應腔的部分位于所述進氣腔內，所述粉體處理組件一端與所述電機的輸出軸連接，所述粉體處理組件另一端與所述外殼可轉動連接，所述粉體處理組件設有所述排氣孔，所述排氣孔連通所述反應腔與所述排氣腔； 所述等離子發生裝置包括： 微波源，設有微波諧振腔，所述微波諧振腔內設有天線； 介質管，設有所述等離子發生腔及與所述等離子發生腔連通的第二注氣孔，所述介質管具有封閉端和開口端，所述介質管的封閉端伸入所述微波諧振腔；以及， 連接座，一端與所述介質管的開口端連接，另一端與所述粉體處理裝置連接，所述連接座設有連通所述等離子發生腔和所述等離子進入孔的連接孔。

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