臺灣積體電路制造股份有限公司沈文超獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利記憶晶胞以及集成電路獲國家實用新型專利權(quán)，本實用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN223261854U 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的實用新型授權(quán)公告中獲悉：該實用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202422459692.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/68；該實用新型記憶晶胞以及集成電路是由沈文超設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-10-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本記憶晶胞以及集成電路在說明書摘要公布了：本揭示內(nèi)容的實施例提供一種記憶晶胞以及集成電路，特別是包括兩個或多個位元的多次可程序化Multi?timeprogrammable，MTP記憶晶胞。該記憶晶胞包含鰭式場效晶體管Finfieldeffecttransistor，F(xiàn)inFET晶體管，F(xiàn)inFET晶體管具有形成于一通道區(qū)周圍的兩個或多個儲存節(jié)點以及形成于兩個或多個儲存節(jié)點上方的兩個或多個柵電極。記憶晶胞可由n型通道晶體管或p型通道晶體管實現(xiàn)。
本實用新型記憶晶胞以及集成電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種記憶晶胞，其特征在于，包括： 一源極區(qū)； 一漏極區(qū)； 一通道區(qū)，連接該源極區(qū)及該漏極區(qū)，其中該通道區(qū)具有一第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁及連接該第一側(cè)壁及該第二側(cè)壁的一頂表面； 一第一柵極介電層，設(shè)置于該通道區(qū)上； 一儲存柵電極層，設(shè)置于該第一柵極介電層上； 一第一控制柵電極層，設(shè)置于該儲存柵電極層上，其中該第一控制柵電極層面向該通道區(qū)的該第一側(cè)壁；及 一第二控制柵電極層，設(shè)置于該儲存柵電極層上，其中該第二控制柵電極層面向該通道區(qū)的該第二側(cè)壁，且該第一控制柵電極層及該第二控制柵電極層彼此電隔離。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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