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          • 顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機(jī)顏料,油墨膜片貼附于電路板,油墨層具有開窗;LED芯片,固晶于開窗;封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元包括:襯底,包括第一區(qū)和第二區(qū);位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu),第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間;位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層,第一...
          • 本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法,所述方法包括:在襯底上形成柵極層;在所述柵極層上形成第一掩膜層;利用所述第一掩膜層對(duì)所述柵極層進(jìn)行刻蝕,形成柵極;對(duì)所述襯底進(jìn)行離子摻雜,以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū);去除所述第一掩膜層;形成覆蓋...
          • 本公開提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、集成電路、存儲(chǔ)系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導(dǎo)體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè),包括第一部分...
          • 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層;在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜;對(duì)非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理,以使非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換...
          • 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層;在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜;對(duì)非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入,以將3A族離子注入非晶...
          • 提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū),且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導(dǎo)電類型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
          • 本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、第一絕緣柱、一對(duì)第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū),且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板上且具有第一導(dǎo)電類型。阱區(qū)位于外延層中...
          • 本發(fā)明適用于電機(jī)制造技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝,包括集成前端蓋或集成后端蓋,所述集成前端蓋或集成后端蓋內(nèi)設(shè)有定子鐵芯和定子繞組,所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質(zhì)成型;其中,所述定子繞組置于所述定子鐵芯...
          • 一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領(lǐng)域。化學(xué)通式表示為:Nax(NiyMn1?y)1?βMβ...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結(jié)構(gòu)、光模塊和光通信系統(tǒng),包括:基板,基板的頂面配置有多個(gè)芯片,多個(gè)芯片包括至少一個(gè)電芯片和光芯片;其中,基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離,第一區(qū)域用于...
          • 本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強(qiáng)氧化鎵外延質(zhì)量的制備方法,該方法通過降低位錯(cuò)密度來提高薄膜質(zhì)量。在具體實(shí)施過程中,我們采用光刻技術(shù)在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠,隨后對(duì)帶有光刻膠圖案的襯底進(jìn)行熱回流處理。接著,在熱回流后的襯底上進(jìn)行非晶態(tài)或...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供了問答處理的方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品,所述方法包括:獲取用戶輸入的問題文本,并生成所述問題文本對(duì)應(yīng)的第二向量;采用所述第二向量,在預(yù)先構(gòu)建的向量庫(kù)中進(jìn)行向量匹配,得到目標(biāo)第一向量,并確定所述目標(biāo)第一向量對(duì)應(yīng)的目標(biāo)...
          • 本發(fā)明提供了一種基于生成式人工智能技術(shù)的電廠設(shè)計(jì)專題報(bào)告生成方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)數(shù)據(jù)采集與處理;(2)自然語(yǔ)言處理與信息提取;(3)生成式人工智能模型訓(xùn)練;(4)報(bào)告生成與內(nèi)容組織;(5)報(bào)告輸出與定制化;(6)質(zhì)量評(píng)估與...
          • 本申請(qǐng)涉及一種問答方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括:在目標(biāo)提問內(nèi)容的答復(fù)場(chǎng)景為非預(yù)設(shè)場(chǎng)景時(shí),通過從緩存中查詢目標(biāo)提問內(nèi)容對(duì)應(yīng)的目標(biāo)答復(fù)內(nèi)容并反饋給目標(biāo)賬號(hào),以減少預(yù)設(shè)大語(yǔ)言模型的使用頻次,從而降低預(yù)設(shè)大語(yǔ)言模型的使用代價(jià),以解...
          • 本發(fā)明涉及一種用于機(jī)動(dòng)車驅(qū)動(dòng)電池的單體接觸系統(tǒng)的熔斷器,所述熔斷器可這樣設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電池的電池單體區(qū)域中且這樣確定尺寸,使得在電池單體熱失控時(shí)電池單體的反應(yīng)熱與在此在電池單體端子區(qū)域中出現(xiàn)的相關(guān)短路電流的歐姆損耗以及與在此在熔斷器上出現(xiàn)的短路...
          • 一種二次電池包括:電極組件,包括第一電極板、第二電極板和隔膜;殼體,被配置以容納電極組件;以及蓋組件,聯(lián)接到殼體的開放的上側(cè)。支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置并固定到電極組件的下端,并且支撐結(jié)構(gòu)被支撐以與殼體的下底表面接觸。
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板及電子設(shè)備,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,所述顯示面板包括陣列基板;層疊于所述陣列基板一側(cè)的光取出層和多個(gè)發(fā)光子像素;所述光取出層在所述陣列基板上的正投影與所述發(fā)光子像素在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊,所述光取出層包...
          • 本發(fā)明提供一種QLED器件及其應(yīng)用。所述QLED器件包括發(fā)光層,所述發(fā)光層包括依次層疊設(shè)置的第一發(fā)光層、激子阻擋層和第二發(fā)光層;所述第一發(fā)光層的材料包括第一主體基質(zhì)和染料;所述染料包括藍(lán)光染料和/或黃光染料。本發(fā)明中通過對(duì)QLED器件發(fā)光層...
          • 本公開提供一種顯示單元、顯示面板和顯示模組,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示面板包括陣列分布的顯示單元,顯示單元包括依次層疊設(shè)置的發(fā)光單元、第一光學(xué)單元和第二光學(xué)單元;發(fā)光單元用于提供激發(fā)光;第一光學(xué)單元對(duì)來自發(fā)光單元側(cè)的激發(fā)光呈現(xiàn)增透特性;第二光學(xué)...
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