意法半導體(克洛爾2)公司;意法半導體(魯塞)公司P·波伊文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體(克洛爾2)公司;意法半導體(魯塞)公司申請的專利相變存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112018233B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010462793.4，技術領域涉及：H10B63/10；該發明授權相變存儲器是由P·波伊文;D·貝努瓦;R·貝特隆設計研發完成，并于2020-05-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本相變存儲器在說明書摘要公布了：本公開涉及一種相變存儲器的制造方法和相變存儲器設備。方法包括在空腔中形成第一絕緣層，該空腔以與相變材料帶垂直對齊的方式放置，并各向異性地蝕刻第一絕緣層的位于空腔底部的部分；以及包括第一絕緣層的相變存儲器設備，該第一絕緣層緊靠以與相變材料帶垂直對齊的方式放置的空腔的側壁。
本發明授權相變存儲器在權利要求書中公布了：1.一種制造相變存儲器的方法，包括： 在襯底上形成晶體管； 在所述晶體管上形成第一絕緣層； 形成延伸穿過所述第一絕緣層的導電過孔； 在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層； 在所述導電過孔上形成電阻元件，所述電阻元件延伸穿過所述第二絕緣層； 在所述電阻元件上形成相變材料層； 在所述相變材料層上形成導電層； 在所述導電層上形成第三絕緣層； 在所述第三絕緣層中形成空腔，所述空腔垂直覆蓋在所述相變材料層之上；以及 在所述空腔的側壁和底面上形成第四絕緣層， 其中形成所述空腔包括：形成具有側壁的次級腔，并且所述次級腔的所述側壁的一部分由所述相變材料層形成，并且 其中所述次級腔的所述側壁的一部分由所述電阻元件形成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(克洛爾2)公司;意法半導體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國克洛爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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