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龍圖騰網獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利蝕刻處理方法及基板處理裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112185812B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010635618.0，技術領域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權蝕刻處理方法及基板處理裝置是由下田學;澤田石真之;江藤隆紀設計研發(fā)完成，并于2020-07-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本蝕刻處理方法及基板處理裝置在說明書摘要公布了：提供一種蝕刻處理方法，其能夠提高基底層相對于蝕刻對象膜的選擇比。該蝕刻處理方法包括：在處理容器內準備形成有層疊膜的基板的工序，該層疊膜至少具有含硅絕緣層、布置在所述含硅絕緣層的下層的基底層、以及布置在所述含硅絕緣層的上層的掩模層；供給至少包含氟碳化合物氣體和稀有氣體的處理氣體的工序；以及在供給有所述處理氣體的處理容器內產生等離子體以對所述層疊膜進行蝕刻的工序，其中，所述稀有氣體包含第一氣體，該第一氣體的電離能高于Ar氣體，并且電離的單個顆粒具有的動量低于電離的Ar氣體的單個顆粒的動量。

本發(fā)明授權蝕刻處理方法及基板處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種蝕刻處理方法，包括： 在處理容器內準備形成有層疊膜的基板的工序，該層疊膜至少具有含硅絕緣層、布置在所述含硅絕緣層的內部并且各自位于不同深度的基底層、以及布置在所述含硅絕緣層的上層的掩模層； 向所述處理容器內供給至少包含氟碳化合物氣體和第二稀有氣體的第一處理氣體的工序； 在所述處理容器內產生所述第一處理氣體的等離子體，以對所述層疊膜進行蝕刻直至多個所述基底層中的第一基底層所在的第一深度的工序； 在對所述層疊膜進行蝕刻直至所述第一深度之后，將所述第二稀有氣體切換為第一稀有氣體，向所述處理容器內供給至少包含所述氟碳化合物氣體和所述第一稀有氣體的第二處理氣體的工序；以及 在所述處理容器內產生所述第二處理氣體的等離子體，以對所述層疊膜進行蝕刻直至多個所述基底層中的第二基底層所在的第二深度的工序，所述第二深度比所述第一深度深， 其中，所述第一稀有氣體是電離能高于Ar氣體并且電離的單個顆粒具有的動量低于電離的Ar氣體的單個顆粒的動量的氣體， 所述第二稀有氣體是Ar氣體、或者電離能低于Ar氣體的氣體。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創(chuàng)株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。