中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司周飛獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114725215B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110013465.0，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構及其形成方法是由周飛設計研發完成，并于2021-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其方法包括：在所述鰭部內形成沿所述鰭部延伸方向貫穿所述鰭部的第一開口，所述第一開口底部暴露出所述第一區；在所述第一開口底部暴露出的所述第一區內形成第二開口，所述第二開口在沿垂直于所述鰭部延伸方向上的尺寸大于所述第一開口在沿垂直于所述鰭部延伸方向上的尺寸；在所述第一開口內和所述第二開口內形成第一隔離結構。所述第一隔離結構部分位于所述第一開口內，不改變器件單元尺寸，不會導致器件密度的降低；另一方面，所述第一隔離結構在位于所述第二開口內的部分尺寸較大，可以有效地隔離位于第一區內的不同器件的深阱內的摻雜離子向對方擴散，提高器件的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括基底以及位于所述基底上的鰭部，所述鰭部包括位于所述基底表面的第一區、以及位于所述第一區上的第二區，所述第一區還包括第一阱區，以及與所述第一阱區相鄰的第二阱區，所述第二阱區與所述第一阱區的導電類型不同，所述第二區包括多個平行于所述襯底分布的溝道層，所述溝道層之間具有柵溝槽； 位于所述鰭部內，且沿所述鰭部延伸方向上貫穿所述鰭部的第一開口，所述第一開口底部暴露出所述第一區，所述第一開口側壁暴露出所述溝道層側壁，且位于所述第一阱區和所述第二阱區之間； 位于所述第一區內的第二開口，所述第二開口與所述第一開口連通，所述第二開口在沿垂直于所述鰭部延伸方向上的尺寸大于所述第一開口在沿垂直于所述鰭部延伸方向上的尺寸； 位于所述第一開口內和所述第二開口內的第一隔離結構，所述溝道層位于所述第一隔離結構側壁，且垂直于所述第一隔離結構分布； 位于所述柵溝槽內的柵極，所述柵極包圍所述溝道層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號