買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉英飛凌科技股份有限公司申請的專利功率半導體模塊和用于制造功率半導體模塊的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113690192B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110521810.1，技術領域涉及：H01L23/04；該發明授權功率半導體模塊和用于制造功率半導體模塊的方法是由M·路德維希設計研發完成，并于2021-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率半導體模塊和用于制造功率半導體模塊的方法在說明書摘要公布了：一種功率半導體模塊，包括：至少一個半導體襯底10，至少一個半導體襯底10包括電介質絕緣層11和附接到電介質絕緣層11的第一金屬化層111；至少一個半導體主體20，至少一個半導體主體20布置在第一金屬化層111上；至少一個端部停止元件48，其中，每個端部停止元件48布置在半導體襯底10上或至少一個半導體主體20中的一個半導體主體20上，并且在垂直于半導體襯底10的頂表面的垂直方向y上從半導體襯底10或相應半導體主體20延伸；以及至少部分地包圍半導體襯底10的外殼，外殼包括側壁42和蓋44。外殼還包括至少一個壓接銷46，至少一個壓接銷中的每一個從外殼的蓋44朝向至少一個端部停止元件48中的一個端部停止元件48延伸，并且在相應端部停止元件48上施加壓力。

本發明授權功率半導體模塊和用于制造功率半導體模塊的方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體模塊裝置，包括： 至少一個半導體襯底10，所述至少一個半導體襯底10包括電介質絕緣層11和附接到所述電介質絕緣層11的第一金屬化層111； 至少一個半導體主體20，所述至少一個半導體主體20布置在所述第一金屬化層111上； 至少一個端部停止元件48，其中，每個端部停止元件48布置在所述半導體襯底10上或所述至少一個半導體主體20中的一個半導體主體20上，并且在垂直于所述半導體襯底10的頂表面的垂直方向y上從所述半導體襯底10或相應半導體主體20延伸； 至少部分地包圍所述半導體襯底10的外殼，所述外殼包括側壁42和蓋44，其中所述外殼還包括至少一個壓接銷46，所述至少一個壓接銷中的每一個從所述外殼的所述蓋44朝向所述至少一個端部停止元件48中的一個端部停止元件48延伸，并且在所述垂直方向y上在相應端部停止元件48上施加朝向所述半導體襯底10或所述相應半導體主體20的壓力；以及 澆鑄化合物5，所述澆鑄化合物5覆蓋所述半導體襯底10并且部分地填充所述外殼， 其中，所述至少一個端部停止元件48包括框架，所述框架包括圍繞中空空間或腔體的下部部分以及彎曲以便停留在所述下部部分上的上部部分，其中，所述澆鑄化合物5圍繞所述框架并且至少部分地填充所述中空空間或腔體。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技股份有限公司，其通訊地址為：德國瑙伊比貝爾格市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。