南亞科技股份有限公司丘世仰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利內存單元及用于自內存單元讀出數據的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114078814B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110944179.6，技術領域涉及：H01L23/525；該發明授權內存單元及用于自內存單元讀出數據的方法是由丘世仰設計研發完成，并于2021-08-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本內存單元及用于自內存單元讀出數據的方法在說明書摘要公布了：一種內存單元包括半導體基板、晶體管及第一反熔絲結構。晶體管位于半導體基板上方。第一反熔絲結構位于半導體基板上方且相鄰于晶體管，并包括第一端與第二端。第一反熔絲結構的第一端位于半導體基板內且橫向環繞晶體管。第一反熔絲結構的第二端位于第一反熔絲結構的第一端上方且與第一反熔絲結構的第一端間隔開。借此，可以實現高密度半導體裝置。
本發明授權內存單元及用于自內存單元讀出數據的方法在權利要求書中公布了：1.一種內存單元，其特征在于，包含： 半導體基板； 晶體管，位于該半導體基板上方； 第一反熔絲結構，位于該半導體基板上方且相鄰于該晶體管，該第一反熔絲結構包含： 第一端，位于該半導體基板內且橫向環繞該晶體管；以及 第二端，位于該第一反熔絲結構的該第一端上方且與該第一反熔絲結構的該第一端間隔開； 第一摻雜區，位于該半導體基板內且橫向環繞該第一反熔絲結構的該第一端，并且該第一摻雜區與該第一反熔絲結構的該第一端間隔開，其中該第一摻雜區的導電類型與該第一反熔絲結構的該第一端的導電類型相同；以及 第二摻雜區，位于該半導體基板內且橫向環繞該第一摻雜區，并且該第二摻雜區與該第一摻雜區間隔開，其中該第一摻雜區的導電類型與該第二摻雜區的導電類型不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市泰山區南林路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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