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龍圖騰網(wǎng)獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利一種半導體器件的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113948387B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111075633.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/321；該發(fā)明授權(quán)一種半導體器件的制造方法是由魏禹農(nóng);方超設計研發(fā)完成，并于2021-09-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：提供半導體結(jié)構(gòu)，半導體結(jié)構(gòu)包括多個第一目標區(qū)域和至少一個第二目標區(qū)域，多個第一目標區(qū)域由至少一個第二目標區(qū)域劃分，第一目標區(qū)域的上表面高于第二目標區(qū)域的上表面；在半導體結(jié)構(gòu)上形成填充材料層；對填充材料層進行平坦化處理；在半導體結(jié)構(gòu)上形成圖案化的光刻膠層，并通過圖案化的光刻膠層對第一目標區(qū)域進行刻蝕。上述方法中，對填充材料層進行平坦化處理，在利用填充材料將第二目標區(qū)域填充的基礎上，使得第一目標區(qū)域的上表面與第二目標區(qū)域的上表面平齊，減少因第一目標區(qū)域與第二目標區(qū)域之間的高度差對后續(xù)工藝造成的不良影響，以提高半導體制造工藝的穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)一種半導體器件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半導體結(jié)構(gòu)，所述半導體結(jié)構(gòu)包括多個第一目標區(qū)域和至少一個第二目標區(qū)域，多個所述第一目標區(qū)域由所述至少一個第二目標區(qū)域劃分，所述第一目標區(qū)域的上表面高于所述第二目標區(qū)域的上表面； 在所述半導體結(jié)構(gòu)上形成填充材料層； 對所述填充材料層進行平坦化處理； 在所述半導體結(jié)構(gòu)上形成圖案化的光刻膠層，并通過所述圖案化的光刻膠層對所述第一目標區(qū)域進行刻蝕；其中，所述第二目標區(qū)域中包括光刻對準標記，所述光刻對準標記用于在形成所述圖案化的光刻膠層的過程中提供對應的標記信號。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。