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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種片上半導體變壓器模型、建模方法、裝置及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115081372B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210616484.7，技術領域涉及：G06F30/367；該發明授權一種片上半導體變壓器模型、建模方法、裝置及存儲介質是由車文荃;周品皓;沈光煦設計研發完成，并于2022-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種片上半導體變壓器模型、建模方法、裝置及存儲介質在說明書摘要公布了：本發明公開了一種片上半導體變壓器模型、建模方法、裝置及存儲介質，其中模型包括四部分：第一部分為表征變壓器初次級線圈電感及電阻特性的串聯支路；第二部分為表征變壓器初次級線圈之間以及初次級線圈內部磁場耦合效應的互感；第三部分為表征變壓器初次級線圈之間電容耦合效應的寄生電容；第四部分為表征變壓器襯底損耗效應的襯底損耗網絡。本發明通過梯形襯底損耗網絡來替代傳統的CRC襯底損耗網絡，并在此基礎上建立了片上變壓器模型，所采用的梯形襯底損耗網絡能更好地擬合砷化鎵襯底的損耗特性，以使片上半導體變壓器模型滿足多種工藝。本發明可廣泛應用于毫米波集成電路中無源器件建模的領域。

本發明授權一種片上半導體變壓器模型、建模方法、裝置及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種片上半導體變壓器模型，其特征在于，所述片上半導體變壓器模型為六端口變壓器模型，包括四個部分； 第一部分為表征變壓器初次級線圈的電感及電阻特性的串聯支路；每個線圈包含兩個關于公共端子對稱的串聯支路，所述公共端子為線圈的中心抽頭；每個所述串聯支路由一個串聯電感L0x，一個串聯電阻R0x，以及三個串聯的R-L并聯網絡組成； 第二部分為表征變壓器初次級線圈之間以及初次級線圈內部磁場耦合效應的互感；所述六端口變壓器模型包含各個串聯支路之間的磁場耦合； 第三部分為表征變壓器初次級線圈之間電容耦合效應的寄生電容；所述六端口變壓器模型初次級線圈的每個端口之間都引入了寄生電容； 第四部分為表征變壓器襯底損耗效應的襯底損耗網絡；變壓器模型的每個端口處并聯一個梯形襯底損耗網絡，每個梯形襯底損耗網絡由一個并聯電容Csubi0，一個并聯電導Gsubi0，以及四個并聯的G-C串聯結構組成，G-C串聯結構包括Gsubij和Csubij，其中i＝1,2,3,4,5,6， j＝1,2,3,4； 通過以下方式提取梯形襯底損耗網絡的參數： 通過EM仿真并參數轉換后，得到六端口Y參數矩陣滿足： yi＝Y1i+Y2i+Y3i+Y4i+Y5i+Y6i1根據公式1計算獲得端口i處的襯底損耗特性； 考慮到所采用的梯形襯底損耗網絡一共有四個并聯的G-C串聯結構，需要選擇四個頻率點進行擬合，這四個擬合頻點用角頻率從小到大依次表示為ω1、ω2、ω3、ω4； 考慮到梯形襯底損耗網絡的電導和電容可分別寫為： 根據公式23以及所選取的擬合頻點獲得如下方程組： 根據公式4-13求解獲得梯形襯底損耗網絡的所有參數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南理工大學，其通訊地址為：510641 廣東省廣州市天河區五山路381號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。