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龍圖騰網(wǎng)獲悉湘潭大學申請的專利一種具有增強的非線性光學特性的大面積Te-MX₂垂直異質結的制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115652261B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211275889.5，技術領域涉及：C23C14/18；該發(fā)明授權一種具有增強的非線性光學特性的大面積Te-MX₂垂直異質結的制備方法是由郝國林;肖金彪;郝玉龍;高慧;賀力員設計研發(fā)完成，并于2022-10-18向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種具有增強的非線性光學特性的大面積Te-MX₂垂直異質結的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種具有增強的非線性光學特性的大面積Te?MX2垂直異質結納米結構的制備方法。采用兩步生長法，通過調節(jié)限域高度、生長時間以及MX2處理工藝，可以實現(xiàn)二維MX2表面生長的一維碲納米線尺寸、取向與疏密程度的有效調控。將碲粉末放在氧化鋁舟置于加熱溫區(qū)。然后用一片玻璃基底蓋在長有單層MX2的玻璃基底上形成限域空間，并將其置于加熱溫區(qū)下游。利用低壓氣相外延生長技術在單層二維MX2表面外延生長一維Te納米線，形成Te?MX2垂直異質結。Te?MX2垂直異質結展現(xiàn)出優(yōu)異的非線性光學吸收特性，飽和吸收特性大幅增加，調制深度提升至28.1％，在可飽和吸收體、光調制器領域有著廣闊的應用前景。

本發(fā)明授權一種具有增強的非線性光學特性的大面積Te-MX₂垂直異質結的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有增強的非線性光學特性的大面積Te-MX2垂直異質結的制備方法，其中，M為Mo或W，X為S或Se，其特征在于，包括如下步驟： （1）準備一片長有MX2的玻璃基底，把石墨墊塊放置在基底的兩側，將另一片干凈的玻璃片以“面對面”的形式蓋在長有MX2的玻璃基底上，形成一個微反應腔，通過控制石墨墊塊的高度調控反應腔的空間高度，然后將整個微反應腔放置于管式爐下游端距離中心加熱溫區(qū)20-24cm處； （2）將碲粉末放在氧化鋁舟中置于中心加熱溫區(qū)； （3）向管式爐的反應腔內通入氬氣15-30min進行清洗； （4）清洗結束后，開啟真空泵，通入氬氣作為載氣，升高管式爐的溫度，使碲粉所在溫區(qū)的溫度加熱至280-300℃，設置生長時間為15-25分鐘，進行大面積Te-MX2垂直異質結納米結構的生長； （5）生長結束后，溫度自然降至室溫，關閉真空泵與氬氣，即得到大面積Te-MX2異質結納米結構； 步驟（1）中，石墨墊控制干凈的玻璃片與長有MX2的玻璃基底相距1-3mm； 步驟（1）中，以石墨片作為放置整個微反應腔的襯底，以調整微反應腔在管式爐中的位置； 所述長有MX2的玻璃基底為長有單層大面積MX2的玻璃基底，制備方法包括如下步驟： 1將金屬鉬箔放置在管式爐加熱區(qū)中心，升高溫度至470-490℃，在空氣氛圍中氧化得到氧化鉬箔；或將金屬鎢箔放置在管式爐加熱區(qū)中心，升高溫度至580-620℃，在空氣氛圍中氧化得到氧化鎢箔； 2將氧化鉬箔或氧化鎢箔蓋在玻璃基底上放在高溫管式爐的加熱中心，按照氣流由上游至下游的順序，依次放置裝有硫粉或硒粉的氧化鋁舟與生長基底，向高溫管式爐的反應腔內通入氬氣進行清洗； 3升高管式爐的溫度，使硫粉的溫度加熱至300~320℃或硒粉的溫度加熱至360~400℃、氧化鉬箔的溫度加熱至750℃或氧化鎢箔的溫度加熱至780-800℃，生長時間為10分鐘，生長結束后，溫度自然降至室溫，關閉氬氣，即得到長有單層大面積MX2的玻璃基底。

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