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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京大學(xué);華為技術(shù)有限公司申請的專利一種調(diào)控非易失存儲器多值存儲的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115527583B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211301755.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C13/00；該發(fā)明授權(quán)一種調(diào)控非易失存儲器多值存儲的方法是由蔡一茂;王錡深;王宗巍;鮑盛譽;古紹泓;黃如設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-10-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種調(diào)控非易失存儲器多值存儲的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種調(diào)控非易失存儲器多值存儲的方法，屬于半導(dǎo)體和CMOS混合集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明控制晶體管的源漏端電壓差，不斷搜索晶體管的柵極電壓的最高幅值，采用線性快速下降方式調(diào)控晶體管的柵極電壓，其下降終點與速度設(shè)置分別為0～12Vg與1ps～10ns，通過set操作或Reset操作完成阻變存儲器的阻態(tài)變化，實現(xiàn)非易失存儲器多值存儲。本發(fā)明由于采用非恒壓式調(diào)控柵極電壓快速下降，利用晶體管能極快速關(guān)斷的特性，對電流進行及時控制，可以控制阻變存儲器的阻值區(qū)間；且低阻區(qū)間有利于降低操作電壓，進而減緩器件特性的退化。

本發(fā)明授權(quán)一種調(diào)控非易失存儲器多值存儲的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種調(diào)控非易失存儲器多值存儲的方法，所述非易失存儲器包括晶體管和阻變存儲器，其特征在于，設(shè)定Set或Reset的正向電壓操作端在晶體管的漏端，阻變存儲器置于晶體管的源端或漏端，晶體管的漏端以及柵極施加線性增加的正向電壓，晶體管的源端與襯底施加共地電位；控制晶體管的源漏端電壓差，不斷搜索晶體管的柵極電壓的最高幅值，搜索晶體管的柵極電壓的區(qū)間起點設(shè)置為從0.5V到3V，變化幅度設(shè)置為1mV到0.5V，采用線性快速下降方式調(diào)控晶體管的柵極電壓，其下降終點與操作時間設(shè)置分別為0~12Vg與1ps~10ns，通過set操作或Reset操作來完成阻變存儲器的阻態(tài)變化，實現(xiàn)非易失存儲器多值存儲。

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