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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120417470B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510884394.X，技術領域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權一種半導體器件及其制作方法是由王文智;王仲盛設計研發(fā)完成，并于2025-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導體器件及其制作方法，屬于半導體技術領域。所述制作方法包括：提供一襯底，在襯底上形成柵極結構；在襯底和柵極結構側壁上形成修復氧化層并進行垂直刻蝕，保留柵極結構側壁上的修復氧化層；在柵極結構兩側的襯底內依次形成自下而上的輕摻雜區(qū)、過渡區(qū)和重摻雜區(qū)；在襯底上形成全覆蓋的第一刻蝕停止層并刻蝕形成開口；在開口內形成補償外延層；去除第一刻蝕停止層，至少金屬化處理補償外延層和襯底，形成金屬硅化物層；再形成第二刻蝕停止層和層間介質層，并刻蝕至金屬硅化物層，形成連接孔；在連接孔內形成導電插塞。通過本發(fā)明，能夠簡化制作工藝，提高制作效率，同時提高半導體器件的性能和良率。

本發(fā)明授權一種半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟： 提供一襯底，在所述襯底上形成柵極結構； 在所述襯底和所述柵極結構側壁上形成修復氧化層； 刻蝕所述修復氧化層，保留所述柵極結構側壁的所述修復氧化層； 在所述柵極結構兩側的所述襯底內依次形成自下而上的輕摻雜區(qū)、過渡區(qū)和重摻雜區(qū)；通過垂直所述襯底進行離子注入，在所述柵極結構兩側形成所述輕摻雜區(qū)；調整離子注入角度，進行傾斜離子注入，在所述柵極結構兩側形成過渡區(qū)；再次垂直所述襯底進行離子注入，在所述柵極結構兩側形成重摻雜區(qū)； 在所述襯底上形成全覆蓋的第一刻蝕停止層并刻蝕形成開口，所述開口暴露部分所述重摻雜區(qū)和至少部分所述柵極結構； 在所述開口內形成補償外延層； 去除所述第一刻蝕停止層，至少金屬化處理所述補償外延層和部分所述襯底，形成金屬硅化物層； 在所述襯底和所述金屬硅化物層上形成第二刻蝕停止層和層間介質層； 刻蝕所述層間介質層至所述金屬硅化物層，形成連接孔； 在所述連接孔內形成導電插塞。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內西淝河路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。