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龍圖騰網獲悉北京懷柔實驗室申請的專利半導體結構和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120417442B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510899885.1，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體結構和半導體器件是由李翠;金銳;和峰;劉江;田寶華;李哲洋;崔翔設計研發完成，并于2025-07-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構和半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構和半導體器件，該半導體結構包括：襯底；外延層，位于襯底的表面上，外延層包括外延層本體和溝槽，溝槽位于外延層本體中；柵極結構，至少位于溝槽中，柵極結構的側壁與溝槽的部分側壁接觸；第一金屬層，至少位于溝槽中，第一金屬層的側壁與溝槽的部分側壁接觸，在第一方向上，第一金屬層位于柵極結構的一側，第一方向垂直于襯底厚度的方向；第一摻雜區，位于外延層本體中，第一摻雜區位于第一金屬層的遠離柵極結構的一側，且第一摻雜區與第一金屬層接觸，第一摻雜區的摻雜類型與外延層的摻雜類型不同。本申請解決了現有技術中槽柵MOSFET難以在保證槽底堅固性的同時保證元胞尺寸較小的問題。

本發明授權半導體結構和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 外延層，位于所述襯底的表面上，所述外延層包括外延層本體和溝槽，所述溝槽位于所述外延層本體中； 柵極結構，至少位于所述溝槽中，所述柵極結構的側壁與所述溝槽的部分側壁接觸； 第一金屬層，至少位于所述溝槽中，所述第一金屬層的側壁與所述溝槽的部分側壁接觸，在第一方向上，所述第一金屬層位于所述柵極結構的一側，所述第一方向垂直于所述襯底厚度的方向； 第一摻雜區，位于所述外延層本體中，所述第一摻雜區位于所述第一金屬層的遠離所述柵極結構的一側，且所述第一摻雜區與所述第一金屬層接觸，所述第一摻雜區的摻雜類型與所述外延層的摻雜類型不同； 第四摻雜區，位于所述外延層本體中，且位于所述第一摻雜區的遠離所述第一金屬層的一側，所述第一摻雜區與所述第四摻雜區接觸，所述第四摻雜區的摻雜類型與所述第一摻雜區的摻雜類型相同，所述第四摻雜區的摻雜濃度小于所述第一摻雜區的摻雜濃度； 第五摻雜區，位于所述外延層本體中，且至少位于所述第一摻雜區的遠離所述襯底的部分表面上以及所述第四摻雜區的遠離所述襯底的表面上，所述第五摻雜區的摻雜類型與所述外延層的摻雜類型相同，所述第五摻雜區的摻雜濃度大于所述外延層的摻雜濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。