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龍圖騰網獲悉天津伍嘉聯創科技發展股份有限公司申請的專利一種基于電極特征的晶體角度識別方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120543891B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511038744.7，技術領域涉及：G06V10/75；該發明授權一種基于電極特征的晶體角度識別方法是由袁東秀;范境燁;付廷喜設計研發完成，并于2025-07-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于電極特征的晶體角度識別方法在說明書摘要公布了：本發明涉及晶體角度識別技術領域，尤其涉及一種基于電極特征的晶體角度識別方法，包括如下步驟：生成多模態特征模板，將原始晶體圖像中晶體目標與多模態特征模板進行匹配，輸出匹配結果；建立偏移基準；基于偏移基準，對優化調整后的Blob分析的感興趣區域的像素點位置進行動態修正，對修正后的Blob分析的感興趣區域內的原始晶體圖像進行首次Blob分析，獲取晶體電極的二值化圖像；對晶體電極的二值化圖像進行自適應多尺度形態學增強與特征強化，得到增強后的晶體電極圖像；對增強后的晶體電極圖像進行二次Blob分析，提取角度特征，完成基于電極特征的晶體角度的識別。本發明提供的方法能夠對晶體角度進行準確快速地識別。

本發明授權一種基于電極特征的晶體角度識別方法在權利要求書中公布了：1.一種基于電極特征的晶體角度識別方法，特征在于：包括如下步驟： S1：獲取原始晶體圖像并生成匹配掩膜圖像及屏蔽掩膜圖像，合并匹配掩膜圖像及屏蔽掩膜圖像，生成多模態特征模板，將原始晶體圖像中晶體目標與多模態特征模板進行匹配，并輸出匹配結果； S2：根據匹配結果計算原始晶體圖像中晶體目標區域相對于多模態特征模板的偏移角度及多模態特征模板位置坐標偏移量，建立偏移基準； S3：確定原始晶體圖像Blob分析的感興趣區域，并基于匹配掩膜圖像及屏蔽掩膜圖像對原始晶體圖像Blob分析的感興趣區域的尺寸進行優化調整，得到優化調整后的Blob分析的感興趣區域，基于偏移基準，運用圖像配準算法對優化調整后的Blob分析的感興趣區域的像素點位置進行動態修正，得到修正后的Blob分析的感興趣區域，對修正后的Blob分析的感興趣區域內的原始晶體圖像進行首次Blob分析，獲取晶體電極的二值化圖像，提取電極特征； S4：對晶體電極的二值化圖像進行自適應多尺度形態學增強與特征強化，得到增強后的晶體電極圖像； S5：對增強后的晶體電極圖像進行二次Blob分析，提取角度特征，完成基于電極特征的晶體角度的識別。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津伍嘉聯創科技發展股份有限公司，其通訊地址為：300450 天津市濱海新區濱海高新區塘沽海洋科技園新北路4668號創新創業園30-A號廠房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。