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龍圖騰網獲悉無錫展碩科技有限公司申請的專利一種半導體薄膜物理氣相沉積設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120555973B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511054666.X，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種半導體薄膜物理氣相沉積設備是由季中偉設計研發完成，并于2025-07-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體薄膜物理氣相沉積設備在說明書摘要公布了：本發明涉及應用于半導體相關技術領域的一種半導體薄膜物理氣相沉積設備，通過雙向冷卻單元的設置，在對跑道區進行冷卻時，可不斷交替更換進水以及出水的方向，進而縮小水平狀冷卻流道進水口以及出水口之間的溫差，使得對跑道區冷卻的均勻性得到提高，進而使半導體表面成膜更加均勻；另外配合推液板的作用，能隔離新進冷卻水以及已經吸熱后冷卻液，使吸熱后的冷卻液能充分外排，有效避免死水情況的發生，進一步提高冷卻均勻性；同時，推液板還能在新進的和已吸熱的冷卻液交界處進行擾動，進而使交界處的溫度過度更加自然，有效避免出現局部過大的溫差出現，維持薄膜的穩定均勻成型。

本發明授權一種半導體薄膜物理氣相沉積設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體薄膜物理氣相沉積設備，其特征在于：包括控制柜（1），所述控制柜（1）上端從左至右依次固定安裝有載入箱（21）、濺射箱（22）以及載出腔（23），所述載入箱（21）和濺射箱（22）之間、濺射箱（22）與載出腔（23）之間均固定連接有過渡通道（24），兩個所述過渡通道（24）連通載入箱（21）、濺射箱（22）以及載出腔（23），所述載入箱（21）和載出腔（23）上端均密封安裝有箱門（201），所述載入箱（21）、濺射箱（22）以及載出腔（23）的內腔均固定安裝有傳送帶（4），三個所述傳送帶（4）的端部均延伸至對應的過渡通道（24）內，所述載入箱（21）內傳送帶（4）的上端固定連接有托盤（3），所述托盤（3）上端開鑿有放置槽； 所述濺射箱（22）上端固定連接有三個靶材組件（5），三個所述靶材組件（5）的下端貫穿濺射箱（22）并延伸至濺射箱（22）內部，所述靶材組件（5）包括與濺射箱（22）固定連接的基座（51）、通過螺栓固定連接在基座（51）下端的靶材（52）以及密封固定在基座（51）上端的外罩（53），所述基座（51）上端還固定連接有兩個把手（501），所述外罩（53）位于兩個基座（51）之間，所述基座（51）上端開鑿有矩形通槽，所述靶材（52）上端固定連接有強磁板（502），所述強磁板（502）位于矩形通槽內，所述矩形通槽的口部固定連接有隔離層（503），所述基座（51）和外罩（53）的空間內設置有雙向冷卻單元（6），所述雙向冷卻單元（6）位于強磁板（502）正上方； 所述雙向冷卻單元（6）包括平流殼（61）、固定連接在平流殼（61）左右兩端之間的雙向進水導管和雙向排水導管、以及分別固定連接在雙向進水導管和雙向排水導管末端的排水主管（601）和進水主管（602），所述排水主管（601）和進水主管（602）均貫穿外罩（53）并延伸至外界； 所述雙向排水導管包括兩個排水支管（62），所述雙向進水導管包括兩個進水支管（63），兩個所述排水支管（62）相互靠近端部之間、以及兩個進水支管（63）相互靠近端部之間均固定連接有智能三通閥門（64），兩個所述智能三通閥門（64）的第三個端口分別與排水主管（601）以及進水主管（602）固定并相通，兩個所述智能三通閥門（64）的兩個水平端口均不同時開啟，且兩個智能三通閥門（64）的開口方向相反，所述排水支管（62）靠近平流殼（61）的底部，所述進水支管（63）靠近平流殼（61）的頂部。

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