圣戈班盧米洛格集團伯納德·博蒙特獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉圣戈班盧米洛格集團申請的專利n-共摻雜的半導體基板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113874981B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980091923.3，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權n-共摻雜的半導體基板是由伯納德·博蒙特;讓-皮埃爾·福列;文森特·熱利;納比爾·納哈斯;弗洛里安·唐迪耶設計研發完成，并于2019-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本n-共摻雜的半導體基板在說明書摘要公布了：一種制造第13族氮化物，特別是GaN的單晶半導體材料的方法，其包括以下步驟：通過三維外延生長在起始基板上沉積至少一個單晶層，所述層包括由基面生長產生的區域和由被稱為非基面的不同取向的面生長產生的區域；供應n?摻雜劑氣體，所述n?摻雜劑氣體包含選自周期表第16族化學元素的第一化學元素和選自周期表第14族化學元素的至少一種第二化學元素，使得由基面生長產生的區域中第二元素的濃度高于1.0×1017cm3，且由非基面生長產生的區域中第一元素的濃度低于2.0×1018cm3。
本發明授權n-共摻雜的半導體基板在權利要求書中公布了：1.一種第13族氮化物的單晶半導體材料的制造方法，其包括以下步驟： 通過三維外延生長在起始基板上沉積至少一個單晶層，所述單晶層包括由基面生長產生的區域，其具有垂直于由基面0001形成的生長前沿的方向的面；以及由被稱為非基面的不同取向的面生長產生的區域，其具有不垂直于生長前沿方向的面；和 供應n-摻雜劑氣體，所述n-摻雜劑氣體包含選自周期表第16族化學元素的第一化學元素和選自周期表第14族化學元素的至少一種第二化學元素，使得由基面生長產生的區域中第二化學元素的濃度高于1.0×1017cm3，且由非基面生長產生的區域中第一化學元素的濃度低于2.0×1018cm3， 其中所述半導體材料具有介于0.5和5之間的硅+鍺氧原子比，并且 其中所述沉積至少一個單晶層在以下條件下進行： 通過氫化物氣相外延以低于450μmh的生長速率； 在910℃至1035℃之間的溫度下； 在具有100和500托之間的殘余壓力的反應器中；以及 通過以介于13和25之間的V族前體與III族前體的摩爾流量比供應V族前體與III族前體。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人圣戈班盧米洛格集團，其通訊地址為：法國庫爾布瓦；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號