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龍圖騰網獲悉泉州師范學院申請的專利基于類邁克爾遜干涉儀結構的晶粒相鄰面完全等光程共焦成像檢測裝置與方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112067551B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010753504.6，技術領域涉及：G01N21/01；該發明授權基于類邁克爾遜干涉儀結構的晶粒相鄰面完全等光程共焦成像檢測裝置與方法是由鄭恒;陳武;顏少彬;段亞凡;廖廷俤設計研發完成，并于2020-07-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于類邁克爾遜干涉儀結構的晶粒相鄰面完全等光程共焦成像檢測裝置與方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于類邁克爾遜干涉儀結構的晶粒相鄰面完全等光程共焦成像檢測裝置與方法，包括光源、縱向同軸設置的相機、遠心成像鏡頭、半透半反射平行平板合像器以及玻璃載物轉盤、半導體晶粒，半透半反射平行平板合像器同一水平高度設置有平行平板補償器及位于半導體晶粒正上方的天面直角轉向棱鏡，半導體晶粒同一水平高度與半透半反射平行平板合像器正下方設置有側面直角轉向棱鏡，該裝置在滿足雙面成像完全等光程共焦的條件下，獲得相鄰面的空間分離成像，能通過調節平行平板補償器與光軸的夾角來校正補償誤差，從而可以實現半導體晶粒相鄰雙面同時完全等光程共焦成像檢測，結構簡單緊湊，裝配調試容易，可靠性佳。

本發明授權基于類邁克爾遜干涉儀結構的晶粒相鄰面完全等光程共焦成像檢測裝置與方法在權利要求書中公布了：1.基于類邁克爾遜干涉儀結構的晶粒相鄰面完全等光程共焦成像檢測裝置，其特征在于，包括在光路方向上依次設置的CMOS或CCD相機、遠心成像鏡頭、半透半反射平行平板合像器以及玻璃載物轉盤、置于玻璃載物轉盤上的半導體晶粒，在半導體晶粒與半透半反射平行平板合像器之間的光路上分別依次設有天面直角轉像棱鏡、平行平板補償器和側面直角轉向棱鏡，側面直角轉像棱鏡和天面直角轉像棱鏡分別位于半導體晶粒的正側部和天面正上方，所述天面直角轉向棱鏡與平行平板補償器、半透半反射平行平板合像器位于同一水平高度，側面直角轉像棱鏡與半透半反射平行平板合像器位于遠心成像鏡頭的光軸上，同時側面直角轉像棱鏡的第一直角面與半透半反射平行平板合像器的第一面相對，側面直角轉像棱鏡的第二直角面與半導體晶粒側面相對，側面直角轉像棱鏡的斜面與遠心成像鏡頭光軸傾斜設置； 天面直角轉像棱鏡的兩個直角面分別與半導體晶粒的天面和半透半反射平行平板合像器的第二面相對；半透半反射平行平板合像器背離第二面旁側設有同軸外置照明光源； 所述光源經半透半反射平行平板合像器分離為水平第一光路及縱向的第二光路，第一光路經第一直角轉像棱鏡后照明位于玻璃載物轉盤半導體晶粒的天面；第二光路經第二直角轉像棱鏡后照明待測半導體晶粒的側面； 半導體晶粒天面的成像光束經第一直角轉像棱鏡入射到平行平板補償器上，再經過平行平板補償器平行出射的產生了一個s的位移，然后經半透半反射平行平板合像器反射抵達參考輸出面上； 半導體晶粒側面的成像光束經第二直角轉像棱鏡反射轉向，再經半透半反射平行平板合像器透射抵達參考輸出面上；相機獲得雙面各自獨立的像; 所述天面直角轉向棱鏡與側面直角轉向棱鏡的棱鏡直角邊長d相同，半導體晶粒位于玻璃載物轉盤中心，半透半反射平行平板合像器中心、天面直角轉向棱鏡與側面直角轉向棱鏡的反射面中心及半導體晶粒中心相連形成一個邊長為D2+d的方形對稱光路結構，D為玻璃載物轉盤寬度; 半透半反射平行平板合像器中心與側面直角轉向棱鏡斜面中心距離D2+d，半導體晶粒側面的成像光路工作距WD=D2+d2,半透半反射平行平板合像器與天面直角轉向棱鏡斜面在同一水平高度上，二者距離D2+d，半導體晶粒天面成像光路工作距離WD=D2+d2; 天面直角轉像棱鏡的尺寸為15*15*15mm，側面直角轉像棱鏡的尺寸15*15*15mm; 平行平板補償器使半導體晶粒天面成像光束產生了一段平行位移s，其s的大小取決于玻璃平行平板補償器的厚度h，半透半反射平行平板合像器厚度為玻璃折射率n1以及玻璃平行平板補償器表面法線與光軸之間的夾角θ1，平行平板補償器的材料為K9玻璃; 平行平板補償器產生的雙像分離s=1.5mm，焦距f=51.5mm，WD=110mm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人泉州師范學院，其通訊地址為：362000 福建省泉州市豐澤區東海大街398號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。