學校法人關西學院;豐田通商株式會社金子忠昭獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉學校法人關西學院;豐田通商株式會社申請的專利SiC襯底的制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114342045B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080055175.6，技術領域涉及：H01L21/20；該發(fā)明授權SiC襯底的制造方法是由金子忠昭;小島清設計研發(fā)完成，并于2020-08-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本SiC襯底的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種新穎的SiC襯底的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的SiC襯底的制造方法的特征在于包括：蝕刻步驟S10，蝕刻SiC原襯底10；晶體生長步驟S20，在SiC原襯底10上使SiC襯底層13生長來獲得SiC襯底體20；以及剝離步驟S30，剝離SiC襯底體20的一部分來獲得SiC襯底30，蝕刻步驟S10和晶體生長步驟S20是將SiC原襯底10和SiC材料40對置并進行加熱使得在SiC原襯底10和SiC材料40之間形成溫度梯度的步驟。
本發(fā)明授權SiC襯底的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種SiC襯底的制造方法，其包括： 蝕刻步驟，蝕刻SiC原襯底； 晶體生長步驟，在所述SiC原襯底上使SiC襯底層生長來獲得SiC襯底體；以及 剝離步驟，剝離所述SiC襯底體的一部分來獲得SiC襯底， 所述蝕刻步驟和所述晶體生長步驟是將所述SiC原襯底收納在SiC制的主體容器中，將所述SiC原襯底和SiC材料相對配置并在1400℃以上且2300℃以下的溫度范圍內進行加熱、使得在所述SiC原襯底和所述SiC材料之間形成溫度梯度的步驟; 其中，所述蝕刻步驟以所述SiC原襯底為高溫側、以所述SiC材料為低溫側的方式進行加熱; 其中，所述晶體生長步驟以所述SiC原襯底為低溫側、以所述SiC材料為高溫側的方式進行加熱。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人學校法人關西學院;豐田通商株式會社，其通訊地址為：日本國兵庫縣；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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