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龍圖騰網(wǎng)獲悉國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司申請(qǐng)的專利含MTJ器件的多層底部電極獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114270519B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080057836.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/10；該發(fā)明授權(quán)含MTJ器件的多層底部電極是由B·多利斯;T·蘇萬(wàn)納斯里;N·馬查克;P·哈什米設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本含MTJ器件的多層底部電極在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供了一種用于包含磁性隧道結(jié)MTJ的器件的多層底部電極，該多層底部電極從下到上包括具有第一直徑并且由第一底部含電極金屬層的剩余部分構(gòu)成的基段，具有第二直徑并且由第二底部含電極金屬層的剩余部分構(gòu)成的中段，具有第三直徑并且由第三底部含電極金屬層的剩余部分構(gòu)成的上段，其中，第一直徑大于第二直徑，第三直徑等于或小于第二直徑。每個(gè)多層底部電極的較寬基段防止所得底部電極的傾斜和或彎曲。由此提供穩(wěn)定的底部電極。

本發(fā)明授權(quán)含MTJ器件的多層底部電極在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括： 位于嵌入到第一互連電介質(zhì)材料層中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上的多層底部電極，其中，多層底部電極包括具有第一直徑并且由第一導(dǎo)電材料構(gòu)成的基段、具有第二直徑并且由成分與第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料構(gòu)成的中段、以及具有第三直徑并且由成分與第二導(dǎo)電材料不同的第三導(dǎo)電材料構(gòu)成的上段，其中，第一直徑大于第二直徑，第三直徑等于或小于第二直徑； 與多層底部電極橫向鄰接的第二互連電介質(zhì)材料層，其中，第二互連電介質(zhì)材料層接觸多層底部電極的基段和中段二者的最高表面； 位于多層底部電極的上段的最高表面上的磁性隧道結(jié)MTJ柱；以及 位于MTJ柱上的頂部電極。

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