三星電子株式會社文錦妃獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利形成材料膜的方法、集成電路器件和制造其的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113013083B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011020787.X，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權形成材料膜的方法、集成電路器件和制造其的方法是由文錦妃;金鎮用;李準原;黃光臺;金益秀;任智蕓設計研發完成，并于2020-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成材料膜的方法、集成電路器件和制造其的方法在說明書摘要公布了：本申請提供了形成材料膜的方法、集成電路器件和制造集成電路器件的方法。為了制造集成電路IC器件，制備了具有限定溝槽的臺階結構的下結構。在溝槽內部形成材料膜。為了形成材料膜，將包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配體的第一前體供應到下結構上，以在下結構上形成第一前體的第一化學吸附層。將包括第二中心元素和具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二配體的第二前體供應到包括第一化學吸附層的所得結構上，以在下結構上形成第二前體的第二化學吸附層。將反應氣體供應到第一化學吸附層和第二化學吸附層。
本發明授權形成材料膜的方法、集成電路器件和制造其的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成材料膜的方法，所述方法包括以下步驟： 將包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配體的第一前體供應到形成有溝槽的下結構上，并且在下結構上形成第一前體的第一化學吸附層； 將包括第二中心元素和具有第二尺寸的第二配體的第二前體供應到其中形成有第一化學吸附層的所得結構上，并且在下結構上形成第二前體的第二化學吸附層，其中，第二尺寸小于第一尺寸；以及 通過將反應氣體供應到第一化學吸附層和第二化學吸附層，以從下結構去除第一配體和第二配體來形成包括第一中心元素和第二中心元素的材料膜， 其中，第一中心元素和第二中心元素中的每個是硅、硼或金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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