南亞科技股份有限公司錢大恩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利集成電路導線結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446870B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011542115.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權集成電路導線結構及其制造方法是由錢大恩設計研發完成，并于2020-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路導線結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種集成電路導線結構及其制造方法，集成電路導線結構的制造方法包括：提供基板及位于基板上的第一介電層。在第一介電層上形成第一蝕刻遮罩。通過第一蝕刻遮罩蝕刻第一介電層，以形成溝槽。在溝槽中形成第一導電結構，并在第一導電結構及第一介電層上形成導電層。在導電層上形成對準第一導電結構設置的第二蝕刻遮罩。以及通過第二蝕刻遮罩蝕刻導電層，以形成接觸第一導電結構的第二導電結構。借此，本發明的集成電路導線結構的制造方法，第一導電結構及第二導電結構可以共同形成高長徑比的集成電路導線結構。
本發明授權集成電路導線結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種集成電路導線結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供基板及位于所述基板上的第一介電層； 在所述第一介電層上形成第一蝕刻遮罩； 通過所述第一蝕刻遮罩蝕刻所述第一介電層，以形成溝槽； 在所述溝槽中形成第一導電結構，并在所述第一導電結構及所述第一介電層上形成導電層，其中所述第一導電結構具有第一上頂部； 在所述導電層上形成對準所述第一導電結構的第二蝕刻遮罩；以及 通過所述第二蝕刻遮罩蝕刻所述導電層，以形成接觸所述第一導電結構的第二導電結構，其中所述第二導電結構具有第二上頂部及第二下底部，所述第二上頂部的寬度小于所述第二下底部的寬度，所述第一上頂部接觸所述第二下底部，并且其中所述第二下底部的所述寬度與所述第一上頂部的寬度相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市泰山區南林路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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