株式會社日立制作所渡邊直樹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日立制作所申請的專利半導體裝置以及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115552634B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180032221.5，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權半導體裝置以及其制造方法是由渡邊直樹;卜淵設計研發完成，并于2021-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置以及其制造方法在說明書摘要公布了：防止在接觸區域與硅化物層的界面產生缺陷，由此實現能抑制通電劣化的可靠性高的IGBT。作為其手段，提供一種半導體裝置，其具有：形成于半導體基板的下表面且構成IGBT的集電極區域；和在集電極區域的下表面隔著硅化物層形成的集電極電極，硅化物層包含：鋁、比鋁更易于與硅結合的第1金屬和比鋁更易于與碳結合的第2金屬。
本發明授權半導體裝置以及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具有： 半導體基板； 集電極區域，其形成于所述半導體基板的下表面，為第1導電型； 第1半導體區域，其在所述半導體基板中形成于所述集電極區域上，為與所述第1導電型不同的第2導電型； 第2半導體區域，其從所述半導體基板的上表面延續到所述第1半導體區域的中途深度來形成，為所述第1導電型； 發射極區域，其從所述第2半導體區域的上表面延續到所述第2半導體區域的中途深度來形成，與所述第1半導體區域分離，為所述第2導電型； 柵極電極，其在所述半導體基板上隔著絕緣膜來形成，以使得覆蓋所述發射極區域與所述第1半導體區域之間的所述第2半導體區域； 硅化物層，其與所述集電極區域的下表面相接來形成；和 集電極電極，其與所述硅化物層的下表面相接來形成， 所述集電極區域、所述發射極區域以及所述柵極電極構成絕緣柵雙極型晶體管， 所述硅化物層包含：鋁、比鋁更易于與硅結合的第1金屬、以及比鋁更易于與碳結合的第2金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社日立制作所，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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