京東方科技集團股份有限公司劉英偉獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉京東方科技集團股份有限公司申請的專利集成有無源器件的基板及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115513228B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110696124.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D86/80;該發(fā)明授權(quán)集成有無源器件的基板及其制備方法是由劉英偉;曹占鋒;姚琪;王珂;王明星;袁廣才;曲峰設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-06-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本集成有無源器件的基板及其制備方法在說明書摘要公布了:本公開提供一種集成有無源器件的基板及其制備方法,屬于射頻器件技術(shù)領(lǐng)域。本公開的集成有無源器件的基板的制備方法,其包括:提供第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層,并在所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層上分別形成第一連接通孔和第二連接通孔;在所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層上形成集成無源器件;所述無源器件至少包括電感;所述電感包括:在所述第一介質(zhì)層上形成第一子結(jié)構(gòu),在所述第一連接通孔內(nèi)形成第一連接電極,在所述第二介質(zhì)層上形成第二子結(jié)構(gòu),在所述第二連接通孔內(nèi)形成第二連接電極;將所述第一介質(zhì)層所述第二介質(zhì)層相貼合,所述第一子結(jié)構(gòu)、所述第一連接電極、所述第二連接電極和所述第二子結(jié)構(gòu)電連接形成所述電感的線圈結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明授權(quán)集成有無源器件的基板及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種集成有無源器件的基板的制備方法,其包括: 提供第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層,并在所述第一介質(zhì)層上形成多個第一連接過孔,以及在所述第二介質(zhì)層上形成多個第二連接過孔;所述第一介質(zhì)層包括沿厚度方向相對設(shè)置的第一表面和第二表面;所述第二介質(zhì)層包括沿厚度方向相對設(shè)置的第三表面和第四表面; 所述第一介質(zhì)層和或所述第二介質(zhì)層的厚度均為0.2mm-0.3mm; 集成無源器件,所述無源器件至少包括電感;形成所述電感的步驟包括: 在所述第一介質(zhì)層的第一表面形成第一子結(jié)構(gòu),以及在所述第一連接過孔內(nèi)形成第一連接電極; 在所述第二介質(zhì)層的第四表面形成第二子結(jié)構(gòu),以及在所述第二連接過孔內(nèi)形成第二連接電極; 將所述第一介質(zhì)層的第二表面和所述第二介質(zhì)層的第三表面相貼合,一個所述第一連接過孔與一個所述第二連接過孔在所述第一介質(zhì)層上的正投影至少部分重疊,一個所述第一連接電極與一個所述第二連接電極電連接,且所述第一子結(jié)構(gòu)、所述第一連接電極、所述第二連接電極和所述第二子結(jié)構(gòu)電連接形成所述電感的線圈結(jié)構(gòu)。
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