航天特種材料及工藝技術(shù)研究所高曉進獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉航天特種材料及工藝技術(shù)研究所申請的專利一種超聲干耦合滾輪探頭及檢測方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115541707B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110741511.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01N29/04;該發(fā)明授權(quán)一種超聲干耦合滾輪探頭及檢測方法是由高曉進;高增華;江柏紅;張昊;賀鎖讓設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-06-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種超聲干耦合滾輪探頭及檢測方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種超聲干耦合滾輪探頭及檢測方法,屬于無損檢測技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有技術(shù)中無法采用單側(cè)單探頭檢測且無法檢測縱向裂紋缺陷的問題。本發(fā)明提供了一種超聲干耦合滾輪探頭,包括平行且端部相鄰設(shè)置的第一晶片和第二晶片;第一晶片設(shè)置有分層缺陷檢測區(qū)域和裂紋缺陷檢測區(qū)域;第一晶片的裂紋缺陷檢測區(qū)域靠近被檢件側(cè)設(shè)有第一楔塊,第二晶片靠近被檢件側(cè)設(shè)有第二楔塊;第一晶片的分層缺陷檢測區(qū)域的超聲信號用于檢測被檢件的分層缺陷,第一晶片的裂紋缺陷檢測區(qū)域和第二晶片的超聲信號用于檢測被檢件的裂紋缺陷,實現(xiàn)了單次單側(cè)單探頭快速、準確地超聲檢測出復合材料天線罩分層和裂紋缺陷。
本發(fā)明授權(quán)一種超聲干耦合滾輪探頭及檢測方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種超聲干耦合滾輪探頭,其特征在于,包括平行且端部相鄰設(shè)置的第一晶片和第二晶片; 所述第一晶片設(shè)置有分層缺陷檢測區(qū)域和裂紋缺陷檢測區(qū)域; 所述第一晶片的裂紋缺陷檢測區(qū)域靠近被檢件側(cè)設(shè)有第一楔塊,所述第二晶片靠近被檢件側(cè)設(shè)有第二楔塊; 所述第一晶片的分層缺陷檢測區(qū)域的超聲信號用于檢測被檢件的分層缺陷,所述第一晶片的裂紋缺陷檢測區(qū)域和第二晶片的超聲信號用于檢測被檢件的裂紋缺陷;所述第一晶片的中心頻率大于第二晶片的中心頻率; 其中所述第一楔塊和所述第二楔塊呈軸對稱分布,對稱軸為第一晶片和第二晶片的分界線;所述第一楔塊和第二楔塊的截面均為直角三角形,所述第一楔塊和第二楔塊的第一直角邊與對應晶片的楔塊安裝面連接;所述第一楔塊和第二楔塊的第二直角邊與對應晶片的楔塊安裝面垂直;兩直角三角形的斜邊形成Λ字形;所述第一楔塊和所述第二楔塊均滿足以下公式: 公式1 公式2 公式3 其中,C楔塊材質(zhì)為楔塊中縱波聲速; C耦合劑為耦合劑中縱波聲速; C蘭姆波為被檢件中蘭姆波聲速,其中蘭姆波為橫向傳播的聲波; θ為超聲信號改變方向后的傳播方向與原傳播方向夾角; α為楔塊的斜邊與對應晶片的楔塊安裝面的夾角; β為超聲信號改變方向后的傳播方向與楔塊的斜邊垂直線的 夾角。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人航天特種材料及工藝技術(shù)研究所,其通訊地址為:100074 北京市豐臺區(qū)云崗北里40號1-8;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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