南亞科技股份有限公司蘇國輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利半導體元件結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114464594B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110953767.6，技術領域涉及：H01L23/522；該發明授權半導體元件結構及其制備方法是由蘇國輝設計研發完成，并于2021-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體元件結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導體元件結構及其制備方法。該半導體元件結構包括一基底，具有一圖案密集區以及一圖案稀疏區；一第一導電層，設置在該基底上；一第一介電層，設置在該第一導電層上；一第一導電栓柱與一第二導電栓柱，設置在該第一介電層中，其中該第一導電栓柱與該第二導電栓柱包含銅，并通過包含錳的一第一襯墊層而與該第一介電層分隔開；其中該第一導電栓柱與該第二導電栓柱具有不同深寬比。
本發明授權半導體元件結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件結構，包括： 一第一導電層，設置在一半導體基底上； 一第二導電層，設置在該第一導電層上； 一第一導電栓柱，設置在該第一導電層與該第二導電層之間，并電性連接該第一導電層與該第二導電層，其中該第一導電栓柱包含銅；以及 一第一襯墊層，圍繞該第一導電栓柱設置，其中該第一襯墊層包含錳； 一第三導電層，設置在該第二導電層上； 一第二導電栓柱，設置在該第二導電層與該第三導電層之間，并電性連接該第二導電層與該第三導電層，其中該第二導電栓柱包含銅；以及 一第二襯墊層，圍繞該第二導電栓柱設置，其中該第二襯墊層的一部分夾置在該第二導電栓柱與該第二導電層之間，以及 其中該第二襯墊層包括： 一第一襯墊子層，設置在該第二導電層上，且直接接觸該第二導電層，其中該第一襯墊子層包含錳硅； 一第二襯墊子層，設置在該第一襯墊子層上，其中該第二襯墊子層包含錳；以及 一第三襯墊子層，設置在該第二襯墊子層上，其中該第三襯墊子層直接接觸該第二導電栓柱，以及其中該第三襯墊子層包含銅錳。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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