株式會社日立高新技術上田和浩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日立高新技術申請的專利等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116018669B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180017270.1，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法是由上田和浩;池永和幸設計研發完成，并于2021-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法在說明書摘要公布了：提供可靠性高的等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法。作為其手段，是一種等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法，該等離子處理裝置用保護皮膜形成于配置在等離子處理裝置的處理室內部的基材的表面，且包含對等離子具有耐受性的材料，其中，該等離子處理裝置對載置于配置在真空容器內部的處理室內的處理對象的晶片使用在該處理室內形成的等離子進行處理，在該等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法中，具有如下工序：a準備在表面具備含有釔的皮膜的基材；和b將基材浸漬到稀硝酸液中，通過對皮膜進行超聲波照射來進行清洗，在b工序中，在清洗中檢測釔的洗脫速度，在從開始超聲波照射起的釔的洗脫速度依次經過了第1減少、第1增加、第2減少后，在發生第2增加前停止清洗。
本發明授權等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法在權利要求書中公布了：1.一種等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法，該等離子處理裝置用保護皮膜形成于配置在等離子處理裝置的處理室內部的基材的表面，且包含對等離子具有耐受性的材料，其中，所述等離子處理裝置對載置于配置在真空容器內部的處理室內的處理對象的晶片使用在該處理室內形成的所述等離子進行處理， 所述等離子處理裝置用保護皮膜的清洗方法的特征在于，具有如下工序： a準備在表面具備含有釔的等離子處理裝置用保護皮膜的所述基材；和 b將所述基材浸漬到稀硝酸液中，通過對所述等離子處理裝置用保護皮膜進行超聲波照射來進行清洗， 在所述b工序中，在從開始所述超聲波照射起的釔的洗脫速度依次經過了第1減少、第1增加、第2減少后，在發生第2增加前停止清洗。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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