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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141724B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111029285.8，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權半導體封裝是由權容煥設計研發完成，并于2021-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體封裝在說明書摘要公布了：一種半導體封裝，包括：半導體芯片，具有在第一方向上交替布置的第一接觸焊盤和第二接觸焊盤；絕緣膜，具有分別限定第一接觸焊盤的第一焊盤區的第一開口、以及分別限定所述第二接觸焊盤的第二焊盤區的第二開口；第一導電蓋層和第二導電蓋層，分別在所述第一焊盤區和所述第二焊盤區上；以及絕緣層，在所述絕緣膜上，并且具有分別連接到所述第一導電蓋層和所述第二導電蓋層的第一接觸孔和第二接觸孔。所述第一焊盤區和所述第二焊盤區中的每一個包括：具有第一寬度的結合區和具有大于所述第一寬度的第二寬度的探測區，并且所述第二焊盤區中的每一個在與多個第一焊盤區中的每一個相反的方向上布置。

本發明授權半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝，包括： 半導體芯片，包括多個第一接觸焊盤和多個第二接觸焊盤在第一方向上交替地布置的有源表面； 絕緣膜，在所述半導體芯片的所述有源表面上，并且包括分別限定所述多個第一接觸焊盤的第一焊盤區的多個第一開口和分別限定所述多個第二接觸焊盤的第二焊盤區的多個第二開口； 多個第一導電蓋層和多個第二導電蓋層，分別在所述第一焊盤區和所述第二焊盤區上，所述多個第一導電蓋層和所述多個第二導電蓋層中的每一個包括在所述絕緣膜上延伸的延伸部； 絕緣層，在所述絕緣膜上，并且包括分別連接到所述多個第一導電蓋層和所述多個第二導電蓋層的多個第一接觸孔和多個第二接觸孔；以及 重分布層，在所述絕緣層上，并且分別通過所述多個第一接觸孔和所述多個第二接觸孔連接到所述多個第一導電蓋層和所述多個第二導電蓋層， 其中，所述第一焊盤區和所述第二焊盤區中的每一個包括具有第一寬度的結合區和具有大于所述第一寬度的第二寬度的探測區，并且 其中，所述第一焊盤區中的每一個在與所述第一方向相交的第二方向上以所述結合區和所述探測區的順序布置，并且 其中，所述第二焊盤區中的每一個在與所述第二方向相反的方向上以所述結合區和所述探測區的順序布置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。