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龍圖騰網獲悉應用材料公司申請的專利選擇性沉積的表面處理獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116917534B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202280016683.2，技術領域涉及：C23C16/04；該發明授權選擇性沉積的表面處理是由卡門·萊爾·塞萬提斯;金龍珍;凱文·卡舍菲設計研發完成，并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本選擇性沉積的表面處理在說明書摘要公布了：公開了選擇性沉積期間的表面預處理方法。本公開內容的一個或多個實施方式提供了有助于去除阻隔層的表面預處理。本公開內容的一些實施方式包括表面預處理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在經修改第一表面上沉積阻隔層，相較于阻隔層，在第二表面上選擇性地沉積膜，并去除阻隔層。

本發明授權選擇性沉積的表面處理在權利要求書中公布了：1.一種反向選擇性沉積方法，包括以下步驟： 將包含具有第一表面的第一材料和具有第二表面的第二材料的基板暴露于表面預處理以修改所述第一表面并形成經修改第一表面，其中所述表面預處理的步驟包括以下步驟：將所述第一表面暴露于含氮反應物，所述將所述第一表面暴露于含氮反應物將氮原子化學吸附到所述第一表面的至少一部分并形成所述經修改第一表面，并且其中所述基板的頂表面包括至少一個特征，所述至少一個特征延伸進所述基板到底部的深度，所述至少一個特征具有在第一側壁和第二側壁之間的寬度，所述第一側壁和所述第二側壁由所述第二材料構成，所述底部由所述第一材料構成，所述第一材料包括導電材料并且所述第二材料包括絕緣材料； 將所述基板暴露于包含5-癸炔的阻隔化合物，以在所述經修改第一表面上選擇性地形成阻隔層，其中所述氮原子被插入在所述阻隔層的至少一些分子和所述第一表面之間； 相較于所述阻隔層，在所述第二表面上選擇性地沉積阻擋膜，所述阻擋膜由氮化鉭組成或由氮化鈦組成； 將所述阻擋膜和所述阻隔層暴露于后處理，其中所述后處理包括將所述基板暴露于包含氫、氨、水或氧中的一種或多種或由氫、氨、水或氧中的一種或多種組成的反應物； 從所述第一材料去除所述阻隔層；和 在去除所述阻隔層之后，在所述阻擋膜和所述第一材料上沉積第二膜， 其中所述含氮反應物在沒有等離子體的情況下暴露于所述第一表面，所述表面預處理有利于從所述第一表面的所述阻隔層的所述去除。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。