錼創顯示科技股份有限公司羅子元獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉錼創顯示科技股份有限公司申請的專利微型發光二極管結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115347101B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211021422.8，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權微型發光二極管結構是由羅子元;周蕓瑄;王鴻軒;蔡百揚;陳飛宏;林子旸設計研發完成，并于2022-08-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本微型發光二極管結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種微型發光二極管結構，包括磊晶結構、第一絕緣層以及第二絕緣層。磊晶結構包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層。第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層的第一部分構成平臺。平臺具有頂面以及第一側表面。第二型半導體層的第二部分相對于平臺凹陷而形成平臺面。第二型半導體層的第二部分具有第二側表面。第一絕緣層從平臺的頂面沿著第一側表面覆蓋至平臺面，且暴露出第二側表面。第二絕緣層直接覆蓋第二側表面，其中第一絕緣層與第二絕緣層的厚度比值介于10至50之間。
本發明授權微型發光二極管結構在權利要求書中公布了：1.一種微型發光二極管結構，其特征在于，包括： 磊晶結構，包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層，所述發光層位于所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間，所述第一型半導體層、所述發光層以及所述第二型半導體層的第一部分構成平臺，所述平臺具有頂面以及第一側表面，而所述第二型半導體層的第二部分相對于所述平臺凹陷而形成平臺面，且所述第二部分具有第二側表面，所述平臺面位于所述第一側表面與所述第二側表面之間； 第一絕緣層，從所述平臺的所述頂面沿著所述第一側表面覆蓋至所述平臺面，且暴露出所述第二側表面，所述第一絕緣層直接覆蓋所述平臺面，且覆蓋所述第一側表面的所述第一絕緣層與所述第二側表面形成連續表面；以及 第二絕緣層，直接覆蓋所述第二側表面，其中所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的厚度比值介于10至50之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人錼創顯示科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學園區苗栗縣竹南鎮科中路13號8樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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