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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利具有集成續流二極管的橫向增強型氧化鎵場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115312516B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211051682.X，技術領域涉及：H10D84/40；該發明授權具有集成續流二極管的橫向增強型氧化鎵場效應晶體管是由羅小蓉;魏雨夕;彭小松;魏杰;楊可萌;郝琳瑤;蔣卓林設計研發完成，并于2022-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有集成續流二極管的橫向增強型氧化鎵場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明屬于功率半導體技術領域，涉及一種具有集成續流二極管的橫向增強型氧化鎵場效應晶體管。柵源極電壓為零時，柵源極金屬與氧化鎵半導體之間功函數差耗盡導電溝道，實現常關的增強型器件。在正向導通時，柵極所加電壓大于閾值電壓，晶體管開啟；源極電壓為零，源極金屬與氧化鎵半導體之間功函數差耗盡導電溝道，集成二極管關斷。在反向續流時，所加源極電壓使耗盡區變窄，集成二極管導通，具有低的開啟電壓；當源極電壓進一步增加，溝道側壁形成高濃度電子積累層，實現低的導通壓降。相比垂直分立場效應晶體管需要與續流二極管封裝成芯片或模塊，本發明的橫向功率器件易于集成，場效應晶體管和集成二極管工藝兼容，有利于廣泛應用于功率集成電路中，減少寄生參數和模塊體積。

本發明授權具有集成續流二極管的橫向增強型氧化鎵場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.具有集成續流二極管的橫向增強型氧化鎵場效應晶體管，包括沿器件垂直方向自下而上依次層疊設置的氧化鎵襯底1、氧化鎵非故意摻雜區2和N型氧化鎵漂移區3；沿器件橫向方向，器件兩端分別為柵源區和漏區，所述柵源區位于N型氧化鎵漂移區3上表面，漏區包括位于N型氧化鎵漂移區3上部的高摻雜氧化鎵漏區4和位于高摻雜氧化鎵漏區4上表面的漏極金屬5； 其特征在于，所述柵源區中部為與N型氧化鎵漂移區3上表面相接觸的鰭狀氧化鎵漂移區6，所述鰭狀氧化鎵漂移區6的上表面具有高摻雜氧化鎵源區7；所述鰭狀氧化鎵漂移區6的側壁覆蓋有第一絕緣介質8，且所述第一絕緣介質8沿氧化鎵漂移區3上表面向兩側延伸，其中一側向遠離高摻雜氧化鎵漏區4的方向延伸至器件邊緣，另一側向靠近高摻雜氧化鎵漏區4的方向延伸且不與高摻雜氧化鎵漏區4相接觸；沿器件縱向方向，柵源區分為晶體管區和二極管區，所述晶體管區和所述二極管區不同的是，位于晶體管區的第一絕緣介質8表面覆蓋有柵極金屬9；所述柵極金屬9表面覆蓋有第二絕緣介質10，且第二絕緣介質10延伸至與晶體管區的高摻雜氧化鎵源區7的側壁接觸；所述第二絕緣介質10、高摻雜氧化鎵源區7和二極管區的第一絕緣介質8的表面覆蓋有源極金屬11。

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