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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種帶隙基準電流電路模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115993866B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310145781.2，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權一種帶隙基準電流電路模塊是由陳曉飛;曾舜;焦海燕;程煉;劉政林;鄒雪城設計研發完成，并于2023-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種帶隙基準電流電路模塊在說明書摘要公布了：本發明提供了一種帶隙基準電流電路模塊，其通過引入了額外支路電流對溫度進行曲率補償，并通過預置LDO調制和共模抵消方案減小了輸出電源紋波，并利用輸出端并聯電容進一步減小了中低頻的電源紋波和噪聲。

本發明授權一種帶隙基準電流電路模塊在權利要求書中公布了：1.一種帶隙基準電流電路模塊，其特征在于：所述電路模塊包括電阻R1和電阻R2，所述R1和R2串聯后與N型BJT管Q3并聯，且并聯后一端連接至供電電壓PRE-LDO1，另一端連接至N型MOS管M5的漏極，所述R1和R2所產生的分壓輸入至N型BJT管Q1的基極，所述Q3的集電極和基極相連后連接至PRE-LDO1、發射極連接至M5的漏極； 所述電路模塊還包括電阻R3，所述R3的一端連接至PRE-LDO1，另一端連接至P型MOS管M1的源極、Q1的集電極、N型BJT管Q5的集電極，所述M1的漏極和柵極相連且漏極連接至N型MOS管M9的漏極； 所述電路模塊還包括電阻R4，所述R4的一端連接至PRE-LDO1，另一端連接至P型MOS管M2的源極、N型BJT管Q2的集電極、N型BJT管Q4的集電極，所述Q1和Q2的發射極相連后連接至N型MOS管M7的漏極，所述Q5和Q4的發射極相連后通過電阻R14接地，所述M1和M2的柵極相連，所述M2的漏極和柵極通過電容C1相連且漏極連接至N型MOS管M11的漏極； 所述電路模塊還包括電阻R5，所述R5的一端連接至PRE-LDO1，另一端連接至P型MOS管M3的源極，所述M3的柵極連接至M2的漏極且M3的漏極連接至N型MOS管M13的漏極； 所述電路模塊還包括電阻R6，所述R6的一端連接至PRE-LDO1，另一端連接至N型MOS管M4的漏極和Q2的基極，所述M4的柵極連接至M3的漏極且M4的源極連接至外置電阻RSET的一端和信號端VSET，所述RSET的另一端接地，且所述RSET與外置電容CSET相并聯； 所述電路模塊還包括電阻R17、電阻R16和電阻R15，所述R17、R16和R15串聯后一端連接至供電電壓PRE-LDO2，另一端接地，所述R17和R16所產生的分壓輸入至Q5的基極，所述R16和R15所產生的分壓輸入至Q4的基極； 所述M5、M7、M9、M11的柵極均連接至PRE-LDO2，所述M5的源極連接至N型MOS管M6的漏極，所述M7的源極連接至N型MOS管M8的漏極，所述M9的源極連接至N型MOS管M10的漏極，所述M11的源極連接至N型MOS管M12的漏極； 所述電路模塊還包括電阻R7，所述R7的一端連接至PRE-LDO2，另一端N型MOS管M114的漏極，所述M14的漏極和柵極相連，且M14的柵極還分別連接M6、M8、M10、M12、M13的柵極；所述M14通過電阻R8接地，所述M6通過電阻R9接地，所述M8通過電阻R10接地，所述M10通過電阻R11接地，所述M12通過電阻R12接地，所述M13通過電阻R13接地。

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