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龍圖騰網(wǎng)獲悉大連理工大學申請的專利一種用于碳化硅晶片粗拋的氧化鋁CMP拋光液及其拋光方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120173513B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510212311.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C09G1/02；該發(fā)明授權(quán)一種用于碳化硅晶片粗拋的氧化鋁CMP拋光液及其拋光方法是由康仁科;高尚;宋鑫;董志剛設計研發(fā)完成，并于2025-02-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種用于碳化硅晶片粗拋的氧化鋁CMP拋光液及其拋光方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種用于碳化硅晶片粗拋的氧化鋁CMP拋光液及其拋光方法，按重量百分比計，包括如下成分：納米氧化鋁磨料2～10wt.％；分散劑0.2～2wt.％；pH調(diào)節(jié)劑0.001～0.01wt‰；氧化劑的濃度為1～5wt.％。本發(fā)明通過采用復配型氧化劑，利用高錳酸鉀氧化碳化硅晶片表面的還原產(chǎn)物二氧化錳來活化過硫酸鉀，使拋光液中產(chǎn)生大量硫酸根自由基，硫酸根自由基的氧化性極強，能夠促進拋光液產(chǎn)生連鎖氧化反應，進一步氧化碳化硅晶片表面，在碳化硅表面形成硬度較低的氧化層，最終在氧化鋁磨料的機械作用下被去除，進而形成超光滑，無損傷的碳化硅晶片表面。本發(fā)明得到的最佳碳化硅晶片表面粗糙度為0.125nm，材料去除率為3.5μmh。相較于現(xiàn)有氧化鋁拋光液，該拋光液顯著提高了碳化硅晶片的表面質(zhì)量和拋光效率。

本發(fā)明授權(quán)一種用于碳化硅晶片粗拋的氧化鋁CMP拋光液及其拋光方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于碳化硅晶片粗拋的氧化鋁CMP拋光液，其特征在于，由納米氧化鋁磨料、分散劑、pH調(diào)節(jié)劑、氧化劑和去離子水組成； 所述分散劑的組成為膨潤土和聚丙烯酸鈉的混合分散液，其中膨潤土和聚丙酸鈉的質(zhì)量比為1:1； 所述氧化劑為復配型氧化劑，復配型氧化劑的成分為高錳酸鉀和過硫酸鉀，高錳酸鉀和過硫酸鉀的質(zhì)量比為1:1.25； 各成分按重量百分比計為：納米氧化鋁磨料10wt.%，磨料粒徑為800nm；分散劑1wt.%；氧化劑的濃度為4.5wt.%； pH調(diào)節(jié)劑為氫氧化鉀，調(diào)節(jié)拋光液pH為8.5； 以及余量的去離子水； 具體拋光方法如下： 設定碳化硅晶片加載壓力為7psi，拋光盤轉(zhuǎn)速為60rmin，拋光頭轉(zhuǎn)速為40rmin，拋光液流量為1000mLmin，拋光時間為60min，拋光墊在線修整時間為40min，拋光液供液方式為循環(huán)供液。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人大連理工大學，其通訊地址為：116024 遼寧省大連市高新園區(qū)凌工路2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。