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龍圖騰網獲悉深圳市金鼎勝光電股份有限公司申請的專利半導體晶片表面缺陷檢測方法、裝置、設備及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119831995B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510307915.5，技術領域涉及：G06T7/00；該發明授權半導體晶片表面缺陷檢測方法、裝置、設備及存儲介質是由陳新民;王潔;唐建明;張桂英;周正恩設計研發完成，并于2025-03-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體晶片表面缺陷檢測方法、裝置、設備及存儲介質在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體晶片表面缺陷檢測方法、裝置、設備及存儲介質，該方法包括：通過LED檢測光源陣列發出的檢測光束，經過空間濾波處理后，以預設角度照射待測晶片表面。將反射光分為直接光路和濾波光路，直接光路經第二探測器獲得原始圖像，濾波光路經4f光學系統進行空間頻率濾波后由第三探測器獲得低通濾波圖像。通過對原始圖像和低通濾波圖像的差分運算得到高通濾波圖像，并對其進行自適應閾值分割和形態學優化處理以提取圖像特征數據。最后，將圖像特征數據輸入缺陷檢測模型，確定晶片表面的缺陷檢測結果。本發明通過空間濾波有效降低了背景噪聲的干擾，增強了缺陷邊緣特征的對比度，提高了微小缺陷的檢測精度和分類準確性。

本發明授權半導體晶片表面缺陷檢測方法、裝置、設備及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種半導體晶片表面缺陷檢測方法，其特征在于，所述半導體晶片表面缺陷檢測方法包括： 對LED檢測光源陣列發出的檢測光束進行空間濾波處理，并通過預設的反射鏡組將空間濾波處理后的檢測光束以預設角度照射待測晶片表面； 通過預設的分光鏡對反射自待測晶片表面的檢測光路進行分光處理，得到直接光路和濾波光路，其中直接光路與濾波光路的光強比為1:1；通過預設的第二探測器對所述直接光路進行光電轉換處理，將所述直接光路的光強信息轉換為電信號，得到原始圖像；通過預設的4f光學系統中的第一透鏡對所述濾波光路進行聚焦處理，并在所述第一透鏡的后焦面上得到包含待測晶片表面空間頻率信息的傅里葉頻譜；通過三軸位移臺對第一透鏡的后焦面上的光闌的位置進行調節，使所述第一透鏡的后焦面上的光闌的孔徑中心與所述第一透鏡的光軸重合，且所述光闌位于所述第一透鏡的后焦面上；通過預設的調節電機對所述光闌的口徑大小進行調節，使所述光闌的口徑與所述傅里葉頻譜中心亮斑的大小相匹配，得到調節后的光闌口徑；通過所述調節后的光闌對所述傅里葉頻譜進行頻率選擇，僅允許所述傅里葉頻譜中心區域的低頻分量通過，得到空間頻率濾波后的頻譜圖像；通過預設的4f光學系統中的第二透鏡對空間頻率濾波處理后的傅里葉頻譜進行成像，由第三探測器接收成像后的光強信息，得到低通濾波圖像； 對所述原始圖像和所述低通濾波圖像進行差分運算，得到高通濾波圖像，并對所述高通濾波圖像進行自適應閾值分割和形態學優化處理，得到圖像特征數據； 將所述圖像特征數據輸入預設的缺陷檢測模型中，通過所述缺陷檢測模型確定所述待測晶片表面的缺陷檢測結果。

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