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龍圖騰網(wǎng)獲悉晶科能源(海寧)有限公司申請(qǐng)的專利一種太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120152435B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510624915.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池是由郭金鑫;余炳林;苗勁飛;周靜;邱彥凱設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能電池包括柵線，太陽(yáng)能電池的制備方法包括：制備硅基底，硅基底的背面具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，柵線沿太陽(yáng)能電池的厚度方向的投影位于第一區(qū)域，第二區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域之外的區(qū)域；對(duì)硅基底的正面和背面進(jìn)行制絨；在硅基底的正面生成發(fā)射極；在硅基底的背面依次生成隧穿氧化層和摻雜導(dǎo)電層；去除硅基底的背面對(duì)應(yīng)第二區(qū)域位置處的隧穿氧化層和摻雜導(dǎo)電層。使第二區(qū)域不設(shè)置隧穿氧化層和摻雜導(dǎo)電層，能夠減少第二區(qū)域的寄生吸收，避免第二區(qū)域的隧穿氧化層和摻雜導(dǎo)電層吸收較多的入射光，導(dǎo)致光能被轉(zhuǎn)化為熱能而非電能，從而能夠提升太陽(yáng)能電池的工作效率。

本發(fā)明授權(quán)一種太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種太陽(yáng)能電池的制備方法，所述太陽(yáng)能電池（1）包括柵線，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池（1）的制備方法包括： 制備硅基底（11），所述硅基底（11）的背面具有第一區(qū)域（111）和第二區(qū)域（112），所述柵線沿所述太陽(yáng)能電池（1）的厚度方向的投影位于所述第一區(qū)域（111），所述第二區(qū)域（112）為所述第一區(qū)域（111）之外的區(qū)域； 對(duì)所述硅基底（11）的正面和背面進(jìn)行制絨； 在所述硅基底（11）的正面生成發(fā)射極（12）； 在所述硅基底（11）的背面依次生成隧穿氧化層（14）和摻雜導(dǎo)電層（15）； 去除所述硅基底（11）的背面對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域（112）位置處的所述隧穿氧化層（14）和所述摻雜導(dǎo)電層（15）； 在去除所述硅基底（11）的背面對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域（112）位置處的所述隧穿氧化層（14）和所述摻雜導(dǎo)電層（15）的步驟中，所述太陽(yáng)能電池（1）的制備方法具體包括： 激光去除所述第二區(qū)域（112）的所述隧穿氧化層（14）、所述摻雜導(dǎo)電層（15）和所述硅基底（11）背面對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域（112）位置處的部分結(jié)構(gòu)。

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