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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利晶片至晶圓結(jié)合結(jié)構(gòu)以及使用其的半導(dǎo)體封裝件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112701100B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010640793.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/488；該發(fā)明授權(quán)晶片至晶圓結(jié)合結(jié)構(gòu)以及使用其的半導(dǎo)體封裝件是由洪志碩;姜蕓炳;姜明成;金泰勛;樸相天;李赫宰;黃智煥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-06向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本晶片至晶圓結(jié)合結(jié)構(gòu)以及使用其的半導(dǎo)體封裝件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種晶片至晶圓結(jié)合結(jié)構(gòu)，其包括晶片，該晶片具有第一測(cè)試焊盤(pán)、形成在第一測(cè)試焊盤(pán)上的第一結(jié)合焊盤(pán)以及第一絕緣層，第一結(jié)合焊盤(pán)穿透第一絕緣層。該結(jié)構(gòu)還可包括晶圓，該晶圓具有第二測(cè)試焊盤(pán)、形成在第二測(cè)試焊盤(pán)上的第二結(jié)合焊盤(pán)以及第二絕緣層，第二結(jié)合焊盤(pán)穿透第二絕緣層。該結(jié)構(gòu)還可包括圍繞第一結(jié)合焊盤(pán)的所有側(cè)表面和第二結(jié)合焊盤(pán)的所有側(cè)表面的聚合物層，該聚合物層布置在晶片和晶圓之間。此外，晶圓和晶片可被結(jié)合在一起。

本發(fā)明授權(quán)晶片至晶圓結(jié)合結(jié)構(gòu)以及使用其的半導(dǎo)體封裝件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種晶片至晶圓結(jié)合結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括： 晶片，其包括第一測(cè)試焊盤(pán)、形成在所述第一測(cè)試焊盤(pán)上的第一結(jié)合焊盤(pán)以及第一絕緣層，所述第一結(jié)合焊盤(pán)穿透所述第一絕緣層； 晶圓，其包括第二測(cè)試焊盤(pán)、形成在所述第二測(cè)試焊盤(pán)上的第二結(jié)合焊盤(pán)以及第二絕緣層，所述第二結(jié)合焊盤(pán)穿透所述第二絕緣層；以及 聚合物層，其圍繞所述第一結(jié)合焊盤(pán)的所有側(cè)表面和所述第二結(jié)合焊盤(pán)的所有側(cè)表面，所述聚合物層被布置在所述晶片和所述晶圓之間， 其中，所述晶圓和所述晶片被結(jié)合在一起， 其中，所述結(jié)構(gòu)還包括：包括所述第一測(cè)試焊盤(pán)的多個(gè)第一測(cè)試焊盤(pán)， 其中，所述多個(gè)第一測(cè)試焊盤(pán)中的至少一個(gè)第一測(cè)試焊盤(pán)上未形成對(duì)應(yīng)的第一結(jié)合焊盤(pán)， 其中，不平坦部分被形成在其上未形成對(duì)應(yīng)的第一結(jié)合焊盤(pán)的所述至少一個(gè)第一測(cè)試焊盤(pán)的表面上，并且 其中，所述聚合物層填充所述不平坦部分。

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