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龍圖騰網獲悉蘇州鳳凰芯電子科技有限公司申請的專利具有抗突波能力的碳化硅兩級管器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111668291B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010652169.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權具有抗突波能力的碳化硅兩級管器件及其制造方法是由陳彥豪設計研發完成，并于2020-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有抗突波能力的碳化硅兩級管器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種具有抗突波能力的碳化硅兩級管器件及其制造方法，包括第一導電類型重摻雜碳化硅襯底、第一導電類型碳化硅外延體區、階梯型溝槽、第二導電類型體區、肖特基金屬層與歐姆金屬層；在第一導電類型碳化硅外延體區的上表層開設有多個階梯型溝槽，且在從下往上的方向上，階梯型溝槽的槽寬呈逐級增大設置；第一導電類型碳化硅外延體區的上表面以及階梯型溝槽的內部設有肖特基金屬層；第二導電類型體區呈階梯型且包圍每一級溝槽的底面以及從上到下第二級至最后一級溝槽的側壁。本發明提高了抗順向突波電流能力；本發明具有更低的器件順向導通電壓、更高的器件耐壓、更低的漏電電流、更好的抗突波電流能力和更低的制作成本。

本發明授權具有抗突波能力的碳化硅兩級管器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有抗突波能力的碳化硅兩級管器件，包括第一導電類型重摻雜碳化硅襯底（1）、第一導電類型碳化硅外延體區（2）、階梯型溝槽（3）、第二導電類型體區（4）、肖特基金屬層（5）與歐姆金屬層（6）； 其特征是：此器件包括一個階梯型溝槽肖特基金屬層區，階梯型溝槽肖特基金屬層區位于器件的中心區，階梯型溝槽肖特基金屬層區包括半導體基板，半導體基板包括第一導電類型重摻雜碳化硅襯底（1）及位于第一導電類型重摻雜襯底（1）上表面的第一導電類型碳化硅外延體區（2），在第一導電類型重摻雜襯底（1）的下表面設有低接觸電阻的歐姆金屬層（6），歐姆金屬層（6）作為器件的陰極；在所述第一導電類型碳化硅外延體區（2）的上表層開設有多個階梯型溝槽（3），階梯型溝槽（3）由至少三級溝槽組合形成，且在從下往上的方向上，階梯型溝槽（3）的槽寬呈逐級增大設置； 所述第一導電類型碳化硅外延體區（2）的上表面以及階梯型溝槽（3）的內部設有肖特基金屬層（5），肖特基金屬層（5）作為器件的陽極；所述第二導電類型體區（4）呈階梯型，且第二導電類型體區（4）包圍每一級溝槽的底面以及從上到下第二級至最后一級溝槽的側壁。

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