廈門三安光電有限公司劉小亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門三安光電有限公司申請的專利半導體發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115207183B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210824605.7，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權半導體發光二極管及其制備方法是由劉小亮;朱秀山;黃敏;鄭高林;何安和;彭康偉;林素慧設計研發完成，并于2020-09-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：半導體發光二極管及其制備方法。所述半導體發光二極管包括位于襯底上的半導體發光疊層，所述半導體發光疊層上具有透明導電層，所述透明導電層上具有反射層；還包括絕緣結構，所述絕緣結構至少部分位于所述透明導電層上，所述絕緣結構具有斜側面，所述絕緣結構的所述斜側面圍在所述透明導電層上表面邊緣，所述反射層的側面覆蓋在所述絕緣結構的所述斜側面上。所述半導體發光二極管內部的反射層不易發生剝離問題。
本發明授權半導體發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體發光二極管，包括半導體發光疊層及位于所述半導體發光疊層之上的絕緣層，其特征在于：所述絕緣層包括第一區域及與所述第一區域連接的第二區域，所述第一區域具有第一表面，第二區域具有第二表面，其中第一表面低于第二表面，且第一表面與第二表面之間具有連接側面，在所述絕緣層的第一區域上設置有反射層，所述反射層的邊緣位于所述連接側面上；所述連接側面為斜側面；所述反射層的邊緣均被具有所述斜側面的所述絕緣層包圍。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮鎮民安大道841-899號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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