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龍圖騰網(wǎng)獲悉松山湖材料實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專利不含氮的晶硅太陽(yáng)能電池片拋光方法及其拋光液獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114267582B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010974842.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/306；該發(fā)明授權(quán)不含氮的晶硅太陽(yáng)能電池片拋光方法及其拋光液是由陳偉;劉堯平;肖川;張小虎;王燕;杜小龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本不含氮的晶硅太陽(yáng)能電池片拋光方法及其拋光液在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種不含氮的晶硅太陽(yáng)能電池片拋光方法及其拋光液，拋光液包括氟離子源、含氯的離子源、氧化劑和去離子水。將擴(kuò)散后的SE單晶硅片放置于所述拋光液中，在溫度8℃～40℃下刻蝕30s～240s，對(duì)所述SE單晶硅片的絨面進(jìn)行刻蝕拋光處理，使得金字塔形貌結(jié)構(gòu)上部分被去除，留下金字塔塔基，本發(fā)明提供的拋光方法相比于堿拋工藝，工藝簡(jiǎn)單穩(wěn)定，與目前的產(chǎn)線刻蝕工藝兼容，無需新增拋光設(shè)備，刻蝕、拋光和圓滑修飾效果好，能夠圓滑金字塔頂尖和底部以及鈍化四棱臺(tái)平面，反射率可控，而且所采用的拋光液配方合理，不含氮，廢液處理成本低，對(duì)環(huán)保壓力小，原料化學(xué)藥液成本低，易于獲得，降低生產(chǎn)成本的同時(shí)也減少了對(duì)環(huán)境的污染。

本發(fā)明授權(quán)不含氮的晶硅太陽(yáng)能電池片拋光方法及其拋光液在權(quán)利要求書中公布了：1.一種不含氮的晶硅太陽(yáng)能電池片拋光方法，其特征在于，其包括以下步驟： （1）預(yù)備擴(kuò)散后的SE單晶硅片，該SE單晶硅片上具有布滿有金字塔形貌結(jié)構(gòu)的絨面，金字塔形貌結(jié)構(gòu)的底邊長(zhǎng)1～5微米，高度為0.7～3.5微米； （2）配置拋光液：依次將氟離子源、含氯的離子源、氧化劑和去離子水混合攪拌均勻，獲得拋光液；其中所述氟離子源的濃度為0.1molL～8molL，所述含氯的離子源的濃度為0.01molL～13molL，所述氧化劑的濃度為0.01molL～3molL；在拋光液中添加有添加劑，所述拋光液與添加劑的質(zhì)量比為100:0.2～5；所述添加劑由以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)比組分組成：0.5～5質(zhì)量份十二烷基硫酸鈉、0.2～2質(zhì)量份硅酸鈉、0.5～2質(zhì)量份芐基三甲基氯化銨、1～3質(zhì)量份檸檬酸鈉、100質(zhì)量份水； （3）將擴(kuò)散后的SE單晶硅片放置于所述拋光液中，在溫度8℃～40℃下刻蝕30s～240s，對(duì)所述SE單晶硅片的絨面進(jìn)行刻蝕拋光處理，使得金字塔形貌結(jié)構(gòu)上部分被去除，留下金字塔塔基，金字塔塔基的外形輪廓為四邊形，邊長(zhǎng)1～5微米，高度0.1～1微米。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人松山湖材料實(shí)驗(yàn)室，其通訊地址為：523000 廣東省東莞市松山湖大學(xué)創(chuàng)新城A1棟；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。