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龍圖騰網(wǎng)獲悉應(yīng)用材料公司申請(qǐng)的專利減少材料表面粗糙度的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115280467B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080092564.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)減少材料表面粗糙度的方法是由楊奕;K·尼塔拉;K·嘉納基拉曼;A·愛丁;D·凱德拉亞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本減少材料表面粗糙度的方法在說明書摘要公布了：示例性沉積方法可包括：將含硅前驅(qū)物和含硼前驅(qū)物輸送至半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域。方法可包括與含硅前驅(qū)物和含硼前驅(qū)物一起提供含氫前驅(qū)物。含氫前驅(qū)物對(duì)含硅前驅(qū)物或含硼前驅(qū)物中的任一者的流率比率大于或約為2：1。方法可包括：在半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域內(nèi)形成所有前驅(qū)物的等離子體。方法可包括：在設(shè)置在半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域內(nèi)的基板上沉積硅硼材料。

本發(fā)明授權(quán)減少材料表面粗糙度的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種沉積方法，包括： 將含硅前驅(qū)物和含硼前驅(qū)物輸送至半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域； 與所述含硅前驅(qū)物和所述含硼前驅(qū)物一起提供含氫前驅(qū)物，其中所述含氫前驅(qū)物對(duì)所述含硅前驅(qū)物或所述含硼前驅(qū)物中的任一者的流率比率大于或等于2：1； 在所述半導(dǎo)體處理腔室的所述處理區(qū)域內(nèi)形成所述含硅前驅(qū)物、所述含硼前驅(qū)物和所述含氫前驅(qū)物的等離子體；以及 在設(shè)置在所述半導(dǎo)體處理腔室的所述處理區(qū)域內(nèi)的基板上沉積硅硼材料。

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