中芯集成電路(寧波)有限公司陳達獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司申請的專利傳感器封裝結構及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114436203B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011210950.9，技術領域涉及：B81B7/00；該發明授權傳感器封裝結構及方法是由陳達;劉孟彬設計研發完成，并于2020-11-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本傳感器封裝結構及方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種傳感器封裝結構及方法，其中，傳感器封裝結構包括：CMOS電路基板，包括CMOS電路及第一電性連接端；檢測結構，包括功能單元及電性引出端；第一圍堰，位于CMOS電路和檢測結構之間，CMOS電路、第一圍堰和檢測結構圍成第一空腔，第一空腔至少包圍部分功能單元；電連接結構，設置于CMOS電路的第一圍堰暴露的區域，且將電性引出端與第一電性連接端相連。本發明通過將CMOS電路與檢測結構鍵合，以實現集成封裝，以大大縮減封裝體積，提高集成度；另外，第一圍堰和電連接結構分開設置，電連接結構不必依賴第一圍堰形成，在工藝和時間上都比較靈活，降低了CMOS電路在形成空腔和電連接工藝條件的限制，擴大了工藝窗口，并縮短了工藝制程時間。
本發明授權傳感器封裝結構及方法在權利要求書中公布了：1.一種傳感器封裝結構，其特征在于，包括： CMOS電路基板，包括CMOS電路及第一電性連接端； 檢測結構，包括功能單元及電性引出端； 第一圍堰，位于CMOS電路和檢測結構之間，所述CMOS電路、所述第一圍堰和所述檢測結構圍成第一空腔，所述第一空腔至少包圍部分所述功能單元； 電連接結構，設置于所述CMOS電路的所述第一圍堰暴露的區域，且將所述電性引出端與所述第一電性連接端相連； 檢測結構還包括襯底，所述功能單元設置于所述襯底的第一表面，所述電性引出端位于所述襯底遠離所述功能單元的第二表面，所述電性引出端通過互連結構與所述功能單元電連，所述第一圍堰位于所述襯底的第二表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司，其通訊地址為：315800 浙江省寧波市北侖區小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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