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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利一種通過STI刻蝕工藝改善HDP填充缺陷的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497089B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011252721.3，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權一種通過STI刻蝕工藝改善HDP填充缺陷的方法是由魏崢穎;范學東;吳智勇設計研發完成，并于2020-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種通過STI刻蝕工藝改善HDP填充缺陷的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種通過STI刻蝕工藝改善HDP填充缺陷的方法，提供均勻分布有像素區和邏輯區的晶圓，將晶圓的表面劃分為第一至第四象限；將晶圓的第二象限正對所述刻蝕機臺的懸臂梁置于刻蝕腔；對晶圓進行刻蝕，在第一至第四象限的像素區和邏輯區形成相同深度的STI區；將晶圓移出刻蝕機臺，并對像素區的STI區覆蓋光刻膠；將晶圓重新置于刻蝕腔的靜電吸盤上，將晶圓除第二象限以外的其他任意一個象限正對懸臂梁；對晶圓第一至第四象限的邏輯區的STI區繼續刻蝕，形成深STI區。本發明將利用STI刻蝕與深STI刻蝕時的角度匹配或者STI及深STI刻蝕時旋轉角度來改善面內深度均勻性，從而避免HDP填充出現空洞。

本發明授權一種通過STI刻蝕工藝改善HDP填充缺陷的方法在權利要求書中公布了：1.一種通過STI刻蝕工藝改善HDP填充缺陷的方法，其特征在于，該方法至少包括： 步驟一、提供晶圓，所述晶圓均勻分布有像素區和邏輯區； 步驟二、以所述晶圓的圓心為直角坐標系的原點，將所述晶圓的表面劃分為第一至第四象限； 步驟三、將所述晶圓置于刻蝕機臺的刻蝕腔的靜電吸盤上，并且將所述晶圓的第二象限正對所述刻蝕機臺的懸臂梁； 步驟四、對所述晶圓第一至第四象限的像素區和邏輯區同步進行STI刻蝕，在所述第一至第四象限的所述像素區和邏輯區分別形成相同深度的STI區，所述STI區的深度為H； 步驟五、將所述晶圓移出所述刻蝕機臺，并對所述晶圓的第一至第四象限的像素區的所述STI區覆蓋光刻膠； 步驟六、將所述晶圓重新置于所述刻蝕機臺的刻蝕腔的靜電吸盤上，并且將所述晶圓除第二象限以外的其他三個象限中任意一個象限正對所述刻蝕機臺的懸臂梁； 步驟七、對所述晶圓第一至第四象限的邏輯區的所述STI區繼續刻蝕，形成深STI區，所述深STI區的深度為H+h。

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