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龍圖騰網獲悉原子能與替代能源委員會申請的專利包括SPAD光電二極管的圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112951857B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011301723.7，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權包括SPAD光電二極管的圖像傳感器是由諾伯特·穆西;塞德里克·吉魯加朗波;奧利維爾·薩克斯奧德設計研發完成，并于2020-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括SPAD光電二極管的圖像傳感器在說明書摘要公布了：本公開涉及一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括多個雪崩光電二極管，所述多個雪崩光電二極管具有形成在具有正面和背面的、第一導電類型的半導體基板101的內部和頂部，其中：?在基板101中從其正面垂直延伸到其背面的溝槽107，所述溝槽107在頂視圖中具有橫向界定多個基板島109的連續網格的形狀，每個島109限定像素PIX，所述像素PIX包括單個可單獨控制的雪崩光電二極管，并且包括像素光電二極管的雪崩信號的收集的摻雜區域119。

本發明授權包括SPAD光電二極管的圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括多個雪崩光電二極管，所述多個雪崩光電二極管具有形成在具有正面和背面的、第一導電類型的半導體基板（101）的內部和頂部的垂直PN結，其中： -在基板（101）中從其正面垂直延伸到其背面的溝槽（107），所述溝槽（107）在頂視圖中具有橫向界定多個基板島（109）的連續網格的形狀，每個島（109）限定像素（PIX），所述像素（PIX）包括單個可單獨控制的具有垂直PN結的雪崩光電二極管，并且包括所述像素光電二極管的雪崩信號的收集的摻雜區域（119）； -溝槽（107）的側壁和底部被涂布第一摻雜多晶硅的半導體層（113），所述第一摻雜多晶硅的半導體層（113）具有與收集區域的導電類型相反的導電類型；并且 -導電區域（115）在所述溝槽中延伸，所述導電區域（115）與第一摻雜多晶硅的半導體層（113）的與所述基板（101）相對的表面接觸，所述導電區域（115）形成連續的導電網格，將所有的雪崩光電二極管的陽極區域或陰極區域彼此電連接；以及 -第一摻雜多晶硅的半導體層（113）的導電類型與基板的導電類型相反，基板（101）的每個島（109）的側表面與第一摻雜多晶硅的半導體層（113）之間的結限定傳感器的雪崩光電二極管的雪崩區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人原子能與替代能源委員會，其通訊地址為：法國巴黎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。