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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利三維半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113224075B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110080779.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/00；該發(fā)明授權(quán)三維半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法是由李東植;李炳鎮(zhèn);黃盛珉設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本三維半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了一種三維半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法。該三維半導(dǎo)體存儲器裝置包括具有單元和連接區(qū)的襯底。電極結(jié)構(gòu)設(shè)置在襯底上，電極結(jié)構(gòu)在連接區(qū)上具有臺階結(jié)構(gòu)。第一豎直溝道結(jié)構(gòu)和第一偽結(jié)構(gòu)分別至少部分地穿透單元區(qū)和連接區(qū)上的電極結(jié)構(gòu)。第一豎直溝道結(jié)構(gòu)和第一偽結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展部分的底部分別位于第一水平高度處和第二水平高度處。第二水平高度高于第一水平高度。

本發(fā)明授權(quán)三維半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，包括： 襯底，其包括單元區(qū)和連接區(qū)； 電極結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在所述襯底上，所述電極結(jié)構(gòu)在所述連接區(qū)上具有臺階結(jié)構(gòu)； 第一豎直溝道結(jié)構(gòu)，其至少部分地穿透所述單元區(qū)上的電極結(jié)構(gòu)；以及 第一偽結(jié)構(gòu)，其至少部分地穿透所述連接區(qū)上的電極結(jié)構(gòu)， 其中，所述電極結(jié)構(gòu)包括： 第一電極結(jié)構(gòu)，其包括堆疊在所述襯底上的多個第一電極；以及 第二電極結(jié)構(gòu)，其包括堆疊在所述第一電極結(jié)構(gòu)上的多個第二電極， 其中，所述第一豎直溝道結(jié)構(gòu)和所述第一偽結(jié)構(gòu)中的每一個包括： 第一豎直延伸部分，其至少部分地穿透所述第一電極結(jié)構(gòu)； 第二豎直延伸部分，其至少部分地穿透所述第二電極結(jié)構(gòu)；以及 擴(kuò)展部分，其設(shè)置在所述第一豎直延伸部分與所述第二豎直延伸部分之間， 其中，從所述多個第一電極中的最上面的一個第一電極的頂表面至所述第一豎直溝道結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展部分的底部的第一高度小于從所述多個第一電極中的最上面的一個第一電極的頂表面至所述第一偽結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展部分的底部的第二高度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。