臺灣積體電路制造股份有限公司任啟中獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113540103B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110181730.6，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由任啟中;林玉珠;郭原呈;江文智;廖耕潁;董懷仁設計研發完成，并于2021-02-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本案提供一種具有金屬氧化物半導體場效晶體管MOSFET元件的半導體裝置及其制造方法，半導體裝置包括：浮柵層，形成于基板中的溝槽內；穿隧介電層，位于溝槽的側壁及底部上；控制柵介電層，位于浮柵層的頂表面上；控制柵層，位于控制柵介電層的頂表面上；及側壁間隔物，位于控制柵介電層及控制柵層的側壁上。
本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有金屬氧化物半導體場效晶體管元件的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括： 一第一晶體管結構，包括： 一第一浮柵層，形成于一基板中的一第一浮柵溝槽內，其中該第一浮柵溝槽形成于該基板內，且該第一浮柵層具有一第一高度；以及 一第一穿隧介電層，形成于該第一浮柵溝槽的側壁及一底部上； 一第二晶體管結構，包括： 一第二浮柵層，形成于該基板中的一第二浮柵溝槽內，其中該第二浮柵溝槽形成于該基板內，且該浮柵層具有一第二高度，其中該第二高度不同于該第一高度；以及 一第二穿隧介電層，形成于該第二浮柵溝槽的側壁及一底部上； 一控制柵介電層，形成于該第一浮柵層及該第二浮柵層的一頂表面上方；一控制柵層，形成于該控制柵介電層的一頂表面上方；以及 一側壁間隔物，位于該控制柵介電層及該控制柵層的側壁上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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