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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)沙學(xué)院申請(qǐng)的專利表面等離子共振成像裝置、方法、控制系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115508275B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110630755.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N21/01；該發(fā)明授權(quán)表面等離子共振成像裝置、方法、控制系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)是由汪之又;袁彬峰;朱培棟;黃彩霞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本表面等離子共振成像裝置、方法、控制系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)適用于表面等離子共振技術(shù)領(lǐng)域，提供一種表面等離子共振成像裝置、方法、控制系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，表面等離子共振成像裝置包括光源系統(tǒng)、檢測(cè)系統(tǒng)、進(jìn)樣系統(tǒng)、成像系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，光源系統(tǒng)包括遠(yuǎn)心光源、第一電機(jī)和角度調(diào)制部件，檢測(cè)系統(tǒng)包括耦合器和微陣列芯片，進(jìn)樣系統(tǒng)包括進(jìn)樣池，成像系統(tǒng)包括第一陣列探測(cè)器；第一電機(jī)與角度調(diào)制部件機(jī)械連接，控制系統(tǒng)分別與第一電機(jī)和第一陣列探測(cè)器電連接；控制系統(tǒng)用于控制第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)角度調(diào)制部件運(yùn)動(dòng)，以調(diào)節(jié)遠(yuǎn)心光源產(chǎn)生的入射光的遠(yuǎn)心角度，使位于微陣列芯片的所有樣點(diǎn)處的入射光的強(qiáng)度相等，無(wú)需進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)樣品校準(zhǔn)或標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)校準(zhǔn)等測(cè)量步驟，可以滿足快速檢測(cè)需求。

本發(fā)明授權(quán)表面等離子共振成像裝置、方法、控制系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種表面等離子共振成像裝置，其特征在于，包括光源系統(tǒng)、檢測(cè)系統(tǒng)、進(jìn)樣系統(tǒng)、成像系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，所述光源系統(tǒng)包括遠(yuǎn)心光源、第一電機(jī)和角度調(diào)制部件，所述檢測(cè)系統(tǒng)包括耦合器和微陣列芯片，所述進(jìn)樣系統(tǒng)包括進(jìn)樣池，所述成像系統(tǒng)包括第一陣列探測(cè)器； 所述第一電機(jī)與所述角度調(diào)制部件機(jī)械連接，所述控制系統(tǒng)分別與所述第一電機(jī)和所述第一陣列探測(cè)器電連接； 所述控制系統(tǒng)用于控制所述第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述角度調(diào)制部件運(yùn)動(dòng)，以調(diào)節(jié)所述遠(yuǎn)心光源產(chǎn)生的入射光的遠(yuǎn)心角度，使位于所述微陣列芯片的所有樣點(diǎn)處的入射光的強(qiáng)度相等； 所述成像系統(tǒng)還包括分束鏡和第二陣列探測(cè)器； 所述控制系統(tǒng)還與所述第二陣列探測(cè)器電連接； 所述所有樣點(diǎn)反射的反射光經(jīng)由所述分束鏡分束為第一反射光和第二反射光后，分別出射至所述第一陣列探測(cè)器和所述第二陣列探測(cè)器； 所述控制系統(tǒng)具體用于： 控制所述第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述角度調(diào)制部件運(yùn)動(dòng)，以調(diào)節(jié)所述遠(yuǎn)心光源產(chǎn)生的入射光的遠(yuǎn)心角度； 通過(guò)所述第二陣列探測(cè)器獲取所述所有樣點(diǎn)的第一圖像； 獲取所述第一圖像中所有像素點(diǎn)的強(qiáng)度的均方差和平均強(qiáng)度的比值； 當(dāng)所述比值不等于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，返回控制所述第一電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述角度調(diào)制部件運(yùn)動(dòng)，直到所述比值等于預(yù)設(shè)閾值時(shí)為止，所述比值等于預(yù)設(shè)閾值時(shí)位于所述微陣列芯片的所有樣點(diǎn)處的入射光的強(qiáng)度相等。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人長(zhǎng)沙學(xué)院，其通訊地址為：410000 湖南省長(zhǎng)沙市開(kāi)福區(qū)洪山路98號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。