蘇州東微半導體股份有限公司劉偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州東微半導體股份有限公司申請的專利半導體超結功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116137283B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111359635.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體超結功率器件是由劉偉;劉磊;袁愿林;王睿設計研發完成，并于2021-11-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體超結功率器件在說明書摘要公布了：本發明實施例提供的一種半導體超結功率器件，包括n型漏區、n型漂移區、多個p型柱；所述多個p型柱中的每個p型柱的寬度相等，且相鄰的兩個所述p型柱之間的間距相等；所述多個p型柱中的每個所述p型柱的頂部分別設有與所述p型柱一一對應的p型體區，所述p型體區的寬度均相等；所述p型體區內設有n型源區，控制所述n型源區與所述n型漂移區之間的電流溝道的開啟和關斷的柵極結構；位于所述n型漂移區上方且介于相鄰的所述p型體區之間的JFET區，所述JFET區設有兩種或兩種以上的不同寬度。本發明可以使得半導體超結功率器件在開啟或關斷時的柵漏電容突變速度降低，減小半導體超結功率器件的柵極電壓震蕩。
本發明授權半導體超結功率器件在權利要求書中公布了：1.半導體超結功率器件，其特征在于，包括終端區和元胞區，所述元胞區包括： n型漏區、n型漂移區和多個p型柱，所述多個p型柱中的每個p型柱的寬度相等，且相鄰的兩個所述p型柱之間的間距相等； 所述多個p型柱中的每個所述p型柱的頂部分別設有與所述p型柱一一對應的p型體區，所述p型體區的寬度均相等； 所述p型體區內設有n型源區；控制所述n型源區與所述n型漂移區之間的電流溝道的開啟和關斷的柵極結構； 位于所述n型漂移區上方且介于相鄰的所述p型體區之間的JFET區，所述JFET區設有兩種或兩種以上的不同寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州東微半導體股份有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區20棟515室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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