長鑫存儲技術有限公司黃猛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115832014B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210675592.1，技術領域涉及：H10D62/13；該發明授權半導體結構及其形成方法是由黃猛設計研發完成，并于2022-06-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：該發明公開了一種半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括：襯底；第一晶體管，所述第一晶體管位于所述襯底上，所述第一晶體管具有第一漏極部和第一源極部；共源極結構，所述共源極結構位于所述第一晶體管上方；第二晶體管，所述第二晶體管位于所述共源極結構上方，所述第二晶體管具有第二漏極部和第二源極部，所述共源極結構分別與所述第一漏極部和所述第二漏極部電性連接。根據本發明實施例的半導體結構，第一晶體管和第二晶體管均與共源極結構連接，共源極結構形成為第一晶體管和第二晶體管的共同輸出端，結構簡單且體積和面積小。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 第一晶體管，所述第一晶體管位于所述襯底上，所述第一晶體管具有第一漏極部和第一源極部； 共源極結構，所述共源極結構位于所述第一晶體管上方； 第二晶體管，所述第二晶體管位于所述共源極結構上方，所述第二晶體管具有第二漏極部和第二源極部，所述共源極結構分別與所述第一漏極部和所述第二漏極部連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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