蘇州華星光電技術有限公司吳昊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州華星光電技術有限公司申請的專利一種CMOS圖像芯片、相機及其調試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115188779B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210821963.2，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權一種CMOS圖像芯片、相機及其調試方法是由吳昊;張文兵;高峰;饒振華;夏宇飛設計研發完成，并于2022-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種CMOS圖像芯片、相機及其調試方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種CMOS圖像芯片、相機及其調試方法。本發明的CMOS圖像芯片包括感光區和包圍所述感光區的發光區；在發光區設有多個發光二極管，依據光的可逆性原理，利用發光二極管在待檢測基板上的投影圖案確定CMOS圖像芯片的襯底的感光有效區，避免現有技術以相機成像在顯示器上的畫面作為調試依據，相機成像畫面存在信號延遲導致調試效率低的問題，大大提升相機的調試效率。
本發明授權一種CMOS圖像芯片、相機及其調試方法在權利要求書中公布了：1.一種CMOS圖像芯片，其特征在于，包括：感光區和包圍所述感光區的發光區； 所述CMOS圖像芯片包括： 電路層，位于所述感光區和所述發光區； 多個光電二極管，設置于所述感光區的所述電路層上，且電連接至所述電路層；以及 多個發光二極管，設置于所述發光區的所述電路層上，且電連接至所述電路層； 多個透鏡，設置于多個光電二極管和多個發光二極管遠離所述電路層的一側，且每一所述透鏡與對應的所述光電二極管或對應的所述發光二極管相對設置； 襯底，位于所述感光區的所述電路層上以及所述發光區的所述電路層上； 其中，所述光電二極管和所述發光二極管共用所述電路層以及所述襯底； 其中，任意一個所述發光二極管的所述發光層遠離所述電路層的一側的表面與所述襯底遠離所述電路層的一側的表面平齊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州華星光電技術有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園區方洲路338號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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