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龍圖騰網獲悉深圳芯能半導體技術有限公司申請的專利一種溝槽柵IGBT的制備方法及溝槽柵IGBT、芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115588614B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211350011.3，技術領域涉及：H10D12/01；該發明授權一種溝槽柵IGBT的制備方法及溝槽柵IGBT、芯片是由楊磊;劉杰設計研發完成，并于2022-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種溝槽柵IGBT的制備方法及溝槽柵IGBT、芯片在說明書摘要公布了：本發明屬于功率器件技術領域，提供了一種溝槽柵IGBT及其制備方法、芯片。用光罩在晶圓表面形成對準標記，確定劃片道和芯片區域，方便后面各層光罩的對準。然后在終端區域內隔離層的掩蓋下向漂移層的正面注入P型摻雜離子以在終端區域內形成多個P型環，在元胞區域形成多個溝槽，在每個溝槽內形成柵氧化層，并淀積多晶硅材料形成多晶硅層，向漂移層的正面注入P型摻雜離子形成P型阱區，然后注入N型摻雜離子形成N型源區和截止環區，由介質層上的接觸孔注入P型摻雜離子在N型源區上形成歐姆接觸雜質層，并淀積金屬材料得到柵電極、發射電極以及終端金屬層，通過設計新穎的工藝和結構，在不用多晶硅光罩的情況下形成IGBT結構，節省了多晶硅光罩。

本發明授權一種溝槽柵IGBT的制備方法及溝槽柵IGBT、芯片在權利要求書中公布了：1.一種溝槽柵IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 采用第一光罩在漂移層的正面的預設位置形成對準標記；其中，所述對準標記用于確定芯片區域，所述芯片區域包括元胞區域和終端區域； 在所述漂移層的正面形成熱氧化層，并在第二光罩下刻蝕所述熱氧化層形成預設圖形的隔離層；其中，所述隔離層位于所述終端區域內； 以第三光罩為掩膜，向所述漂移層的正面注入P型摻雜離子以在所述終端區域內形成多個P型環； 采用第四光罩在所述漂移層的正面形成多個溝槽，并在每個所述溝槽內形成柵氧化層；其中，多個所述溝槽位于所述元胞區域； 在所述漂移層的正面淀積多晶硅材料，并對所述多晶硅材料進行刻蝕處理以在所述溝槽內形成多晶硅層； 向所述漂移層正面注入P型摻雜離子形成P型阱區，并采用第五光罩向所述漂移層正面注入N型摻雜離子形成N型源區和截止環區； 形成介質層，并采用第六光罩在所述介質層上形成接觸孔； 以所述介質層為掩膜在所述接觸孔處注入P型摻雜離子形成歐姆接觸雜質層，并淀積金屬材料，在第七光罩的掩蓋下刻蝕金屬材料得到柵電極、發射電極以及終端金屬層；其中，所述發射電極與所述歐姆接觸雜質層接觸，所述終端金屬層與所述P型環和所述截止環區接觸； 在所述漂移層的背面形成緩沖層，并在所述緩沖層的背面注入P型摻雜離子形成集電區，在所述集電區上濺射金屬材料形成集電極。

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